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射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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SGFCF30T-D 高壓塑料模 GaN HEMT

型號： SGFCF30T-D

--- 產品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Eudyna
  • 型號 SGFCF30T-D
  • 名稱 雙通道裝置（單通道規(guī)格）
  • 產地 日本
  • 封裝 SMT

--- 產品詳情 ---

SGFCF30T-D

型號簡介
Sumitomo的SGFCF30T-D GaN HEMT提供高效率、易于匹配、更大具有50V操作的高功率放大器的一致性和寬帶寬，并且給你更高的增益。此新產品非常適合使用高達3.8GHz的W-CDMA和LTE設計要求，因為它提供了高增益、長期可靠性和易用性。該器件的目標應用是微電池的驅動階段和最終階段基站收發(fā)信臺。


型號規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric  Eudyna
型號                    SGFCF30T-D
名稱                    雙通道裝置（單通道規(guī)格）
產地                    日本
封裝                    SMT


型號參數(shù)
高壓操作：VDS=50V
高功率：42.5dBm（典型值）@Psat
高效率：60%（典型值）@Psat
功率增益：19.5dB（典型值）@f=2.65GHz
經驗證的可靠性


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