型號：2SJ598-Z-E1-AZ-VB
絲印：VBE2610N
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- P溝道
- 最大耐壓：-60V
- 最大漏電流：-38A
- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：61mΩ @ 10V, 72mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓（Vth）：-1.3V
- 封裝：TO252
應(yīng)用簡介：
這款2SJ598-Z-E1-AZ-VB是一款P溝道場效應(yīng)晶體管，適用于多種電子應(yīng)用領(lǐng)域。其低導(dǎo)通電阻和耐壓特性使其非常適合用于功率控制和開關(guān)電路。該器件在負(fù)責(zé)電源管理和功率放大的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
領(lǐng)域模塊應(yīng)用：
1. 電源管理模塊：2SJ598-Z-E1-AZ-VB可用于開關(guān)電源、穩(wěn)壓器等電源管理模塊，以提供高效的電能控制。
2. 功率放大模塊：它也可以用于放大信號的模塊，如音頻放大器，以增強音頻信號的放大效果。
3. 開關(guān)電路：由于其P溝道特性，它適用于各種開關(guān)電路，如開關(guān)模式電源和電子開關(guān)。
這些特性和應(yīng)用使2SJ598-Z-E1-AZ-VB在電子行業(yè)中具有廣泛的用途。
