SI2314EDS-T1-E3-VB一款N溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號：SI2314EDS-T1-E3-VB
絲?。篤B1240
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- N溝道
- 最大耐壓：20V
- 最大漏電流：6A
- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：24mΩ @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V, 8Vgs (±V)
- 閾值電壓（Vth）：0.45V to 1V
- 封裝：SOT23

應(yīng)用簡介：
SI2314EDS-T1-E3-VB是一款N溝道場效應(yīng)晶體管，適用于低功率電子應(yīng)用。它具有適度的導(dǎo)通電阻和耐壓特性，適合用于小型電子系統(tǒng)。

領(lǐng)域模塊應(yīng)用：
1. 電源開關(guān)模塊：SI2314EDS-T1-E3-VB可用于低功率電源開關(guān)應(yīng)用，如便攜式電子設(shè)備和電池供電設(shè)備。
2. 信號開關(guān)：適用于低功率信號開關(guān)和控制電路，如小型開關(guān)電路和信號切換器。
3. 低功耗模塊：在需要低功耗的模塊中，如傳感器節(jié)點(diǎn)、小型控制器，可發(fā)揮作用。

這些特性使SI2314EDS-T1-E3-VB在小型低功率電子應(yīng)用中有廣泛的應(yīng)用。