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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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NTR4101PT1G-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號: NTR4101PT1G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 SOT23封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號:NTR4101PT1G-VB
絲?。篤B2290
品牌:VBsemi
參數(shù):
- 溝道類型:P溝道
- 額定電壓:-20V
- 額定電流:-4A
- 開通電阻(RDS(ON)):57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V
- 門極-源極閾值電壓范圍(Vth):-0.81V
- 門極驅(qū)動電壓范圍:±12V
- 封裝類型:SOT23

應(yīng)用簡介:
NTR4101PT1G-VB是一款P溝道MOSFET,適用于多種低電壓和低功率電子應(yīng)用。以下是一些可能的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊,其中這種MOSFET可能被廣泛使用:

1. **電源開關(guān)**:這款MOSFET可用于便攜式設(shè)備、低功耗電源和電池供電設(shè)備中的電源管理電路。它可以實現(xiàn)電源開關(guān)、電池保護和能源轉(zhuǎn)換。

2. **低功耗電子**:NTR4101PT1G-VB適用于需要低功耗運行的電子設(shè)備,如傳感器節(jié)點、嵌入式系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)設(shè)備。它有助于降低功耗,延長電池壽命。

3. **信號開關(guān)**:在各種信號開關(guān)應(yīng)用中,這種MOSFET可以用作信號放大和切換電路的一部分,以控制信號傳輸和處理。

4. **充電保護**:NTR4101PT1G-VB還可以用于充電電路中,以實現(xiàn)電池充電管理和保護,確保充電過程安全和高效。

5. **驅(qū)動器和開關(guān)電路**:這款MOSFET可用于驅(qū)動器和開關(guān)電路,如電機驅(qū)動、開關(guān)控制、放大器和信號處理。

總的來說,NTR4101PT1G-VB是一款適用于低電壓和低功率應(yīng)用的P溝道MOSFET。它在電源管理、低功耗電子、信號開關(guān)、電池保護和驅(qū)動器等多個領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用潛力。

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