型號(hào)：SUP85N03-3M6P-GE3-VB
絲印：VBM1303
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- 溝道類型：N溝道
- 額定電壓：30V
- 最大持續(xù)電流：120A
- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))：3mΩ @ 10V, 4mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓 (Vth)：1.7V
- 封裝：TO220
詳細(xì)參數(shù)說明：
SUP85N03-3M6P-GE3-VB 是一款 N 溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）器件，具有 30V 的額定電壓和極大持續(xù)電流為 120A。它的 RDS(ON) 在不同電壓下表現(xiàn)出色良好，分別為 3mΩ @ 10V 和 4mΩ @ 4.5V。此外，它的閾值電壓（Vth）為 1.7V。
應(yīng)用簡(jiǎn)介：
SUP85N03-3M6P-GE3-VB 是一款高功率 N 溝道 MOSFET，適用于需要高電流承受能力的應(yīng)用。它通常用于電源開關(guān)、電機(jī)控制、電源轉(zhuǎn)換器、電源逆變器、電池保護(hù)電路和其他需要高性能 MOSFET 的領(lǐng)域的模塊。TO220 封裝使其適用于各種高功率應(yīng)用，如電源放大器、電動(dòng)工具、工業(yè)控制和汽車電子。這款 MOSFET 具有低導(dǎo)通電阻和高電流承受能力，可提供卓越的性能和高效率，是需要高功率開關(guān)的應(yīng)用的理想選擇。
