--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 P溝道
- 封裝 SOT23-6封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號:BSL308PE-VB
絲印:VB4290
品牌:VBsemi
參數(shù):
- 溝道類型:2個P溝道
- 額定電壓:-20V
- 最大持續(xù)電流:-4A
- 靜態(tài)導通電阻 (RDS(ON)):75mΩ @ 4.5V, 100mΩ @ 2.5V, 12Vgs (±V)
- 閾值電壓 (Vth):-1.2~-2.2V
- 封裝:SOT23-6
詳細參數(shù)說明:
BSL308PE-VB 是一款具有兩個 P 溝道的金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)器件,具有-20V 的額定電壓和最大持續(xù)電流為-4A。每個 P 溝道 MOSFET 的 RDS(ON) 在不同電壓下表現(xiàn)出色良好,分別為 75mΩ @ 4.5V 和 100mΩ @ 2.5V。閾值電壓 (Vth) 的范圍為-1.2V 到-2.2V。
應(yīng)用簡介:
BSL308PE-VB 常用于電源管理、電源開關(guān)和電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中,特別適用于需要 P 溝道 MOSFET 的電路。由于其雙 P 溝道特性,它適用于反相開關(guān)和負電源電路。SOT23-6 封裝使其易于集成到小型電子設(shè)備中。這種型號的 MOSFET 可以在各種領(lǐng)域的模塊中使用,如電源逆變器、電源開關(guān)、電池保護電路、移動設(shè)備、電源管理、電源放大器、電動工具和其他需要高性能 MOSFET 的低至中功率應(yīng)用。其低導通電阻和高電流承受能力使其在高效率、低功耗應(yīng)用中非常有用。
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