--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 N溝道
- 封裝 TO252封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號(hào): NTD4860NT4G-VB
絲印: VBE1307
品牌: VBsemi
封裝: TO252
**詳細(xì)參數(shù)說明:**
- 架構(gòu): N-Channel MOSFET
- 電壓等級(jí): 30V
- 電流能力: 60A
- RDS(ON): 10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓 (Vth): 1.6V
**應(yīng)用簡(jiǎn)介:**
NTD4860NT4G-VB是一款TO252封裝的N-Channel MOSFET,適用于多種領(lǐng)域的高電流、低導(dǎo)通電阻的電路設(shè)計(jì)。以下是該器件可能應(yīng)用于的領(lǐng)域和模塊:
1. **電源模塊:** 適用于高功率電源模塊,如電源放大器和電源逆變器。
2. **電機(jī)控制:** 可用于高功率電機(jī)驅(qū)動(dòng),如電動(dòng)工具和電動(dòng)車輛。
3. **電源開關(guān):** 在要求高電流和低導(dǎo)通電阻的電源開關(guān)模塊中可以發(fā)揮作用。
4. **電源放大器:** 適用于高功率放大器的輸出級(jí),提高功率放大器的效率。
**使用注意事項(xiàng):**
- 在設(shè)計(jì)電路時(shí),確保了解和遵循器件的最大額定電壓和電流,以防止器件損壞。
- 由于高功率特性,需要考慮適當(dāng)?shù)纳岽胧?,以確保器件在正常工作溫度范圍內(nèi)。
- 注意閾值電壓,確保在實(shí)際應(yīng)用中滿足所需的電流和電壓條件。
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