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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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SQ2309ES-T1-GE3-VB場(chǎng)效應(yīng)管一款P溝道SOT23封裝的晶體管

型號(hào): SQ2309ES-T1-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 SOT23封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào): SQ2309ES-T1-GE3-VB

絲印: VB2658

品牌: VBsemi

### 詳細(xì)參數(shù)說明:

- **封裝類型:** SOT23
- **溝道類型:** P-Channel
- **額定電壓 (VDS):** -60V
- **最大持續(xù)電流 (ID):** -5.2A
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):**
 - @ VGS = 10V: 40mΩ
 - @ VGS = 20V: 未提供具體數(shù)值
- **閾值電壓 (Vth):** -2V

### 應(yīng)用簡(jiǎn)介:

SQ2309ES-T1-GE3-VB是一款SOT23封裝的P-Channel溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管。由于其小封裝、小電流、負(fù)電源電壓的特性,適用于一些小功率、小信號(hào)的負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。

### 適用領(lǐng)域和模塊:

1. **小功率電源開關(guān):** 適用于一些小功率負(fù)載開關(guān)模塊,如便攜式電子設(shè)備中的電源管理模塊。

2. **模擬開關(guān):** 由于其小電流和小封裝,可用于模擬電路中的小功率開關(guān),如信號(hào)選擇開關(guān)等。

3. **傳感器接口:** 在需要負(fù)電源電壓的傳感器接口電路中,SQ2309ES-T1-GE3-VB可用于實(shí)現(xiàn)小功率消耗的開關(guān)功能。

### 使用注意事項(xiàng):

1. **電壓等級(jí):** 在使用過程中,確保不要超過額定電壓-60V。

2. **電流限制:** 不要超過規(guī)定的最大持續(xù)電流,即-5.2A。

3. **閾值電壓:** 注意閾值電壓為-2V,在設(shè)計(jì)電路時(shí)需考慮適當(dāng)?shù)碾妷悍秶?/p>

4. **散熱:** 由于其小功率特性,通常情況下不需要額外的散熱。

5. **靜電防護(hù):** 在操作過程中,采取適當(dāng)?shù)撵o電防護(hù)措施,以防止損壞晶體管。

請(qǐng)注意,這只是一個(gè)基本的概述,具體的設(shè)計(jì)和應(yīng)用需要根據(jù)具體的項(xiàng)目需求和制造商的推薦進(jìn)行。在使用該器件之前,請(qǐng)務(wù)必查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)表和技術(shù)文檔以獲取詳細(xì)的信息和指導(dǎo)。

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