VBsemi RSS090P03-TB-VB MOSFET 參數(shù)：
- 封裝：SOP8
- 溝道類型：P—Channel
- 最大電壓：-30V
- 最大電流：-11A
- RDS(ON)：10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓：-1.42V
應(yīng)用簡(jiǎn)介：
該 MOSFET 適用于中功率應(yīng)用，如電源開(kāi)關(guān)、電機(jī)控制和功率逆變器。其P—Channel溝道類型使其在需要負(fù)電壓操作的電路中具有優(yōu)越性能。
使用領(lǐng)域模塊：
1. 電源開(kāi)關(guān)：作為負(fù)電壓電源開(kāi)關(guān)元件，用于中功率電源系統(tǒng)。
2. 電機(jī)控制：在中功率電機(jī)控制系統(tǒng)中作為電流控制元件。
3. 功率逆變器：用于需要P—Channel MOSFET的功率逆變器電路。
作用：
1. 提供中功率應(yīng)用的高效能力。
2. 在電源開(kāi)關(guān)和電機(jī)控制中實(shí)現(xiàn)負(fù)電壓操作。
3. 適用于需要P—Channel MOSFET的功率逆變器電路。
使用注意事項(xiàng)：
1. 請(qǐng)按照數(shù)據(jù)手冊(cè)提供的最大額定值操作，以避免損壞設(shè)備。
2. 在設(shè)計(jì)中考慮適當(dāng)?shù)纳岽胧?，以確保器件在額定工作溫度下穩(wěn)定運(yùn)行。
3. 避免超過(guò)最大額定電流和電壓，以防止設(shè)備過(guò)載。
4. 在使用過(guò)程中，注意靜電防護(hù)，避免損壞敏感元件。
