資料介紹
本文設(shè)計了一種應(yīng)用于負(fù)電源的電平位移電路。實現(xiàn)從 0~8V 低壓邏輯輸入到 8~-100V 高壓驅(qū)動輸出的轉(zhuǎn)換。分析了該電路的結(jié)構(gòu)和工作原理?;诖穗娐方Y(jié)構(gòu)設(shè)計了滿足應(yīng)用要求的高壓薄膜 SOI LDMOS 器件。分析了器件的工作狀態(tài)以及耐壓機(jī)理,并利用工藝器件聯(lián)合仿真對器件的電學(xué)特性進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計。
隨著智能功率 IC 的發(fā)展.其應(yīng)用領(lǐng)域和功能都在不斷地擴(kuò)展。而作為智能功率 IC 中的重要一類柵驅(qū)動 IC 在功率開關(guān)、顯示驅(qū)動等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在柵驅(qū)動電路中需要電平位移電路來實現(xiàn)從低壓控制輸入到高壓驅(qū)動輸出的電平轉(zhuǎn)換。而在一些領(lǐng)域如 SOC 中的待機(jī)模式激活、ESD 保護(hù)等需要能工作在負(fù)電源的電平位移電路。
SOI(Silicon-On-Insulator)技術(shù)以其高速、低功耗、高集成度、極小的寄生效應(yīng)以及良好的隔離等特點,在集成電路設(shè)計應(yīng)用中倍受青睞。其優(yōu)良的介質(zhì)隔離性能使得智能功率 IC 中高低壓器件的隔離更為完善。
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