資料介紹
CoolMOS具有優(yōu)越的直流特性。為了設(shè)計(jì)出一個600V CoolMOS結(jié)構(gòu),首先CoolMOS的結(jié)構(gòu)人手,結(jié)合電荷平衡
理論,分析了其高擊穿電壓BV、低導(dǎo)通電阻R。 的原理。通過理論計(jì)算,得到相關(guān)的設(shè)計(jì)參數(shù),并結(jié)合TCAD軟件對Cool—
MOS的多個參數(shù)(外延參數(shù)、注入劑量、單胞尺寸、推阱時(shí)間)進(jìn)行了優(yōu)化。最終得到擊穿電壓為630 V,特征導(dǎo)通電阻RmA僅
為12.5 mQ·cm 的CoolMOS結(jié)構(gòu),器件特性大大優(yōu)于傳統(tǒng)功率MOSFET。
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