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　　1，MOS管的工作原理

　　MOS管有N溝和P 溝之分，每一類分為增強型和耗盡型，增強型MOS管在柵- 源電壓vGS=0時，漏- 源極之間沒有導(dǎo)電溝道存在，即使加上電壓 vDS，也沒有漏極電流產(chǎn)生。而耗盡型MOS 管在vGS=0 時，漏- 源極間就有導(dǎo)電溝道存在。 MOS 管的源極和襯底通常是接在一起的。增強型MOS管的漏極d 和源極s 之間有兩個背靠背的PN結(jié)。當(dāng)柵- 源電壓vGS=0時，即使加上漏- 源電壓 vDS，總有一個 PN 結(jié)處于反偏狀態(tài)，漏- 源極間沒有導(dǎo)電溝道，這時漏極電流 iD ≈ 0。若在柵- 源極間加上正電壓，即 vGS＞ 0，則柵極和襯底之間的 SiO2 絕緣層中便產(chǎn)生一個垂直于半導(dǎo)體表面的由柵極指向襯底的電場，這個電場能排斥空穴而吸引電子，形成耗盡層，同時 P 襯底中的電子被吸引到襯底表面。當(dāng) vGS 數(shù)值較小，吸引電子的能力不強時，漏- 源極之間仍無導(dǎo)電溝道出現(xiàn).vGS 增加時，吸引到 P 襯底表面層的電子就增多，當(dāng) vGS 達(dá)到某一數(shù)值時，這些電子在柵極附近的 P 襯底表面便形成一個 N 型薄層，在漏- 源極間形成 N 型導(dǎo)電溝道，稱為反型層。vGS越大，吸引到 P 襯底表面的電子就越多， 導(dǎo)電溝道越厚， 溝道電阻越小。開始形成溝道時的柵- 源極電壓稱為開啟電壓VT。N 溝增強型 MOS管在 vGS＜ VT 時，不能形成導(dǎo)電溝道，管子處于截止?fàn)顟B(tài)。當(dāng) vGS≥VT 時，才有溝道形成，此時在漏- 源極間加正電壓 vDS，才有漏極電流產(chǎn)生。而且vGS增大時，溝道變厚，溝道電阻減小， iD 增大。

　　2、影響MOS 管閾值電壓的主要因素

　　一是作為介質(zhì)的柵氧化層中的電荷Qss及其性質(zhì)。這種電荷通常由多種原因產(chǎn)生，其中一部分帶正電，一部分帶負(fù)電，其凈電荷的極性會對襯底表面產(chǎn)生電荷感應(yīng)，從而影響反型層的形成，或使器件耗盡，或阻礙反型層的形成。

　　二是襯底的摻雜濃度。要在襯底上表面產(chǎn)生反型層，必須施加能夠?qū)⒈砻婧谋M并且形成襯底少數(shù)載流子的積累的柵源電壓，這電壓的大小與襯底的摻雜濃度有直接關(guān)系。襯底摻雜濃度越低，多子濃度也越低，使襯底表面耗盡和反型所需要的電壓VGS 越小。襯底表面摻雜濃度的調(diào)整是通過離子注入雜質(zhì)離子進(jìn)行。

　　三是由柵氧化層厚度tOX 決定的單位面積柵電容的大小。單位面積柵電容越大，電荷數(shù)量變化對VGS 的變化越敏感，器件的閾值電壓則越小。柵氧化層越薄，氧化層中的場強越大，柵氧化層的厚度受到氧化層擊穿電壓的限制。

　　四是柵材料與硅襯底的功函數(shù)差ΦMS 的數(shù)值，這和柵材料性質(zhì)以及襯底的摻雜類型有關(guān)，在一定的襯底摻雜條件下，柵極材料類型和柵極摻雜條件都將改變閾值電壓。對于以多晶硅為柵極的器件，器件的閾值電壓因多晶硅的摻雜類型以及摻雜濃度而發(fā)生變化

　　各種單級放大器的特點

　　差分放大器：抗干擾能力高，輸入輸出范圍增大，信噪比大，失真度減小，面積增加一倍。

　　反相放大器：優(yōu)點是跨導(dǎo)與電流，放大器的線性特性好，大信號下也是如此。

　　CASCOD：E增益高，輸出電阻大，帶寬小，具有屏蔽特性（減少失配），減小 MILLER效應(yīng)對上一級的影響。