如何設(shè)計(jì)雙電子開(kāi)關(guān)的LDO電源管理芯片詳細(xì)論文說(shuō)明
資料介紹
本文設(shè)計(jì)了一種帶有雙電子開(kāi)關(guān)的LDO(Low Dropout Voltage Regulator)電源管理芯片,并深入地分析了低壓降線性電源(LDO)穩(wěn)定性的必要條件。在設(shè)計(jì)的過(guò)程中充分考慮到低功耗的設(shè)計(jì),以滿足電源管理芯片在移動(dòng)設(shè)備中的應(yīng)用。本文的第一章簡(jiǎn)要地介紹了與LDO有關(guān)的背景知識(shí),包括半導(dǎo)體工藝、設(shè)計(jì)仿真模型以及與LDO原理類(lèi)似的線性串聯(lián)電壓源78**系列;第二章主要介紹了LDO的基本參數(shù)及意義,并計(jì)算出這些參數(shù)的表達(dá)公式,最重要的是以誤差放大器的宏模型為基礎(chǔ)建立了LDO的仿真模型,并且從仿真模型出發(fā),分析了LDO系統(tǒng)的零、極點(diǎn)對(duì)LDO輸出穩(wěn)定性的影響;第三章詳細(xì)地介紹了帶有雙開(kāi)關(guān)的LDO電源管理芯片的模塊及系統(tǒng)設(shè)計(jì),對(duì)設(shè)計(jì)的原理做了簡(jiǎn)要的分析;第四章是對(duì)第三章設(shè)計(jì)的驗(yàn)證與仿真;第五章總結(jié)了本論文的主要內(nèi)容。
本文設(shè)計(jì)的電源管理芯片在正常工作狀態(tài)下芯片自身消耗的電流小于150uA,滿足了低功耗的要求。LDO穩(wěn)定地輸出3.3V電壓,并可以提供不小于200mA的負(fù)載驅(qū)動(dòng)能力,兩只電子開(kāi)關(guān)可導(dǎo)通不少于150mA的電流,導(dǎo)通后阻抗小于0.2Q。在設(shè)計(jì)過(guò)程中還充分考慮了各種意外情況的發(fā)生,芯片中包含有欠壓保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)、輸出過(guò)流保護(hù)電路,在保護(hù)芯片自身的同時(shí),也有效的保護(hù)了次級(jí)負(fù)載電路的安全。
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