IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)電路詳細(xì)學(xué)習(xí)課件免費(fèi)下載

　　IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)條件密切地關(guān)系到它的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性。

　　柵極電路的正偏壓VGE、負(fù)偏壓-VGE和柵極電阻RG的大小，對(duì)IGBT的通態(tài)壓降、開(kāi)關(guān)時(shí)間、開(kāi)關(guān)損耗、承受短路能力以及dV/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。

　　柵極正電壓VGE的變化對(duì)IGBT的開(kāi)通特性，負(fù)載短路能力和dVCE/dt電流有較大影響。

　　柵極負(fù)偏壓則對(duì)關(guān)斷特性的影響比較大。

　　IGBT對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的特殊要求

　　由于IGBT的開(kāi)關(guān)特性和安全工作區(qū)隨著柵極驅(qū)動(dòng)電路的變化而變化，因而驅(qū)動(dòng)電路性能不好常常導(dǎo)致器件損壞，IGBT對(duì)驅(qū)動(dòng)電路有許多特殊的要求：

　　1） 驅(qū)動(dòng)電壓脈沖的上升率和下降率要充分大。

　　2） IGBT導(dǎo)通后，柵極驅(qū)動(dòng)電路提供給IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓和電流要有足夠的幅度。

　　瞬時(shí)過(guò)載時(shí)，柵極驅(qū)動(dòng)電路提供的驅(qū)動(dòng)功率要足以保證IGBT不退出飽和區(qū)而損壞。

　　3） IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)電路提供給IGBT的正向驅(qū)動(dòng)電壓十VGE要取合適的值，特別是具有短路工作過(guò)程的設(shè)備中使用IGBT時(shí)，其正向驅(qū)動(dòng)電壓更應(yīng)選擇所需要的最小值。

　　4） IGBT的關(guān)斷過(guò)程中，柵一射極間施加的負(fù)偏壓有利于IGBT的快速關(guān)斷，但也不宜取的過(guò)大。（一般取-10V）

　　5） 在大電感負(fù)載的情況下，過(guò)快的開(kāi)關(guān)速度，反而是有害的，大電感負(fù)載在IGBT的快速開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)，會(huì)產(chǎn)生高頻且幅值很高而寬度很窄的尖峰電壓Ldi/dt，該尖峰不易吸收，容易造成器件損壞。

　　6） 由于IGBT多用于高壓場(chǎng)合，所以驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)與整個(gè)控制電路在電位上嚴(yán)格隔離，一般采用高速光耦合隔離或變壓器耦合隔離。