SDRAM內(nèi)存詳解資料

　　我們從內(nèi)存顆粒、 內(nèi)存槽位接口、 主板和內(nèi)存之間的信號(hào)、接口幾個(gè)方面來詳細(xì)闡述

　　SDRAM 內(nèi)存條和主板內(nèi)存系統(tǒng)的設(shè)計(jì)思路。..

　　雖然目前 SDRAM 內(nèi)存條價(jià)格已經(jīng)接底線，內(nèi)存開始向 DDR 和 Rambus 內(nèi)存過渡。但是

　　由于 DDR 內(nèi)存是在 SDRAM 基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，所以詳細(xì)了解 SDRAM 內(nèi)存的接口和主板

　　計(jì)方法對(duì)于設(shè)計(jì)基于 DDR 內(nèi)存的主板不無裨益。下面我們就從內(nèi)存顆粒、內(nèi)存槽位接口、主板

　　和內(nèi)存之間的信號(hào)接口幾個(gè)方面來詳細(xì)闡述 SDRAM 內(nèi)存條和主板內(nèi)存系統(tǒng)的設(shè)計(jì)思路。

　　內(nèi)存顆粒介紹

　　對(duì)于 DRAM（Dynamic Random Access Memory）內(nèi)存我想凡是對(duì)于計(jì)算機(jī)有所了解的

　　讀者都不會(huì)陌生。這種類型的內(nèi)存都是以一個(gè)電容是否充有電荷來作為存儲(chǔ)狀態(tài)的標(biāo)志，電容沖

　　有電荷為狀態(tài) 1，電容沒有電荷為狀態(tài) 0。其最大優(yōu)點(diǎn)是集成度高，容量大，但是其速度相對(duì)于

　　SRAM （Static Random Access Memory） 內(nèi)存來說慢了許多。目前的內(nèi)存顆粒封裝方式有

　　許多種，本文僅僅以大家常見的 TSSOP 封裝的內(nèi)存顆粒為例子。

　　其各個(gè)管腳的信號(hào)定義和我們所使用的 DIMM 插槽的定義是相同的，對(duì)于不同容量的內(nèi)存，

　　地址信號(hào)的位數(shù)有所不同。另外一個(gè)需要注意的地方就是其供電電路。Vcc 和 Vss 是為內(nèi)存顆

　　粒中的存儲(chǔ)隊(duì)列供電，而 VccQ 和 VssQ 是為內(nèi)存顆粒中的地址和數(shù)據(jù)緩沖區(qū)供電。兩者的作用

　　不同。

　　我們對(duì)內(nèi)存顆粒關(guān)心的問題主要是其顆粒的數(shù)據(jù)寬度（數(shù)據(jù)位數(shù)）和容量（尋址空間大小）。

　　而對(duì)于顆粒自檢、顆粒自刷新等等邏輯并不需要特別深入的研究，所以對(duì)此我僅僅是一筆帶過，

　　如果讀者有興趣的讀者可以詳細(xì)研究?jī)?nèi)存顆粒的數(shù)據(jù)手冊(cè)。雖然內(nèi)存顆粒有這么多的邏輯命令方

　　式，但是由于目前北橋芯片和內(nèi)存顆粒的集成度非常高，只要在布線和元器件的選擇上嚴(yán)格按照

　　內(nèi)存規(guī)范來設(shè)計(jì)和制造，需要使用邏輯分析儀來調(diào)試電路上的差錯(cuò)的情況比較少，并且在設(shè)計(jì)過

　　程中盡量避免出現(xiàn)這種情況。

　　168 線 DIMM 內(nèi)存插槽的信號(hào)定義

　　我們目前 PC 和 Server 使用的內(nèi)存大都是 168 Pins 的 SDRAM，區(qū)別只是其工作頻率有

　　的可能是 100MHz 頻率，有的可能是 133MHz 頻率的。但是只要是 SDRAM，其 DIMM 插槽

　　的信號(hào)定義是一樣的。而這些引腳得定義就是設(shè)計(jì)內(nèi)存條和主板所必須遵從的規(guī)范。

　　內(nèi)存引腳主要分為如下幾類：地址引腳、數(shù)據(jù)引腳（包含校驗(yàn)位引腳）、片選等控制信號(hào)、時(shí)

　　鐘信號(hào)。整個(gè)內(nèi)存時(shí)序系統(tǒng)就是這些引腳上的信號(hào)配合產(chǎn)生。下面的表中就是內(nèi)存插槽的引腳數(shù)

　　量和引腳定義，對(duì)于一些沒有定義或者是保留以后使用的信號(hào)就沒有列出來。