博客分享：?jiǎn)纹瑱C(jī)內(nèi)部FLASH的字節(jié)操作

一般32位單片機(jī)的內(nèi)部FALSH是不支持字節(jié)操作的，有的可以按字節(jié)讀取，但是不能按字節(jié)寫入。

而且，一般單片機(jī)內(nèi)部FALSH擦除的最小單位都是頁，如果向某頁中的某個(gè)位置寫入數(shù)據(jù)，恰好這個(gè)位置的前面存了其他數(shù)據(jù)，那么就必須把這頁擦除，存的其他數(shù)據(jù)也會(huì)丟失。

實(shí)際上就是說內(nèi)部的FALSH不好做改寫的操作，如果有很多數(shù)據(jù)需要存放，最好是分頁存儲(chǔ)。這也是FALSH與E2PROM最大的區(qū)別，后者支持按字節(jié)操作且無需擦除，即使某一個(gè)地址寫壞了，也不影響其他地址。

下面介紹一種方法讓內(nèi)部FLASH"支持"字節(jié)操作，且同一頁的其他數(shù)據(jù)不受影響。

方法原理很簡(jiǎn)單，下面簡(jiǎn)單介紹下原理：

1.根據(jù)要寫入地址，計(jì)算出該地址位于哪一頁；

2.讀出整個(gè)頁，存入緩存BUF；

3.將要寫入的數(shù)據(jù)按位置更新到BUF中；

4.擦除該頁；

5.寫入整個(gè)BUF。

可以看出這種方法弊端很明顯：

1.耗時(shí)長(zhǎng) 每次寫都要讀整個(gè)BUF，然后還要先把數(shù)據(jù)存到BUF里，然后再寫入整個(gè)BUF；

2.FALSH擦寫次數(shù)增加，降低使用壽命；

下面給出測(cè)試代碼：

#include 
#include 
#include //C語言標(biāo)準(zhǔn)庫(kù)
#include "flash.h"
 
#define USER_FLASH_START_ADDR   0x01070000   //FLASH最后兩個(gè)扇區(qū)  供用戶使用
 
 
u32tou8 u32data;//定義一個(gè)聯(lián)合體
 
//==================================================================================
// 獲取某個(gè)地址所在的頁首地址
// addr:FLASH地址
// 返回:該地址所在的頁 共128頁（0~127）
//==================================================================================
unsigned int FLASH_GetFlashPage(unsigned int addr)
{
	  if (IS_FLASH_ADDRESS(addr))
		{
		   return  (addr&(~0xFFF));//清0低12位就是該頁的起始地址
  	} 
}
//==================================================================================
// 從FLASH中讀取 一個(gè)字（32位）
// addr:讀取地址
// 返回： 讀到的字?jǐn)?shù)據(jù)
//備注： 地址為4字節(jié)對(duì)齊
//==================================================================================
unsigned int FLSAH_ReadWord(unsigned int addr)
{
    return (*(unsigned int *)addr);
}
 
 
//==================================================================================
//從FLASH指定地址 讀取數(shù)據(jù)
//備注： 讀取數(shù)據(jù)類型為32位  讀取地址為4字節(jié)對(duì)齊
//==================================================================================
void  FLASH_Read(unsigned int	ReadAddr,unsigned char *pBuffer,unsigned int NumToRead)
{
    unsigned int i;
	  u32tobyte cache;
    for(i=0; iRO = 0;//去掉所有扇區(qū)寫保護(hù)
    //==================================================================================
    // 判斷寫入地址是否非法  起始地址或者結(jié)束地址不在FALSH范圍內(nèi)則退出
    //==================================================================================
    if(!(IS_FLASH_ADDRESS(startaddr)&& IS_FLASH_ADDRESS(endaddr))) return FLASH_ERROR_PG;
   
	   while(startaddr  remain)//需要寫入的數(shù)據(jù)量大于緩沖buf剩余字節(jié)數(shù)
				{
					for(i=index;i<4096;i++)//將需要寫入FALSH的數(shù)據(jù)寫入緩沖buff
					{
							 buffer[i]=*(pBuffer++);				
					}
					NumToWrite-=remain;//需要寫入的數(shù)據(jù)長(zhǎng)度-本次已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)長(zhǎng)度	
          startaddr+=remain;//地址向后偏移本次寫入的字節(jié)數(shù)					
			  }
				else
				{
				  for(i=index;i

其中還有個(gè)聯(lián)合體的定義： 
typedef union
{
    unsigned int  data;
    unsigned char buf[4];
}
u32tou8;

FLASH_ErasePage、FLASH_ProgramWord、IS_FLASH_ADDRESS 這三個(gè)都是單片機(jī)FLASH的庫(kù)函數(shù)
各家單片機(jī)不同，但功能基本相同，這里不再提供源碼。
最后提供以下兩個(gè)FLASH接口即可：
FLASH_Write(unsigned int    WriteAddr,unsigned char *pBuffer,unsigned int NumToWrite);
 
FLASH_Read(unsigned int    ReadAddr,unsigned char *pBuffer,unsigned int NumToRead)

演示：
1.為方便查看結(jié)果，測(cè)試從0x1070FFC的位置開始寫入數(shù)據(jù)，F(xiàn)LASH地址分布如下圖所示：
這里展示了FLASH連續(xù)兩頁的地址，首先將這兩頁全部擦除。


2.接著從1070FFC的位置開始寫入56個(gè)1，這樣就保證了數(shù)據(jù)跨越了1頁。 
unsigned char write[]= {"1111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111"};
FLASH_Write(0x01070FFC,write,sizeof(write));


 注意：最后的00是因?yàn)樽址慕Y(jié)尾字符是“/0”
3.緊接著，在0x1070FFE位置寫入新的字符串，也要保證寫入長(zhǎng)度跨越1頁。
unsigned char write2[]={"23456789"};
FLASH_Write(0x01070FFE,write2,sizeof(write2));


可以看出，0x1070FFE~0x1071006的位置被寫入了新的字節(jié)，但這兩頁的其他位置數(shù)據(jù)保持不變。
總結(jié)：
1、實(shí)際使用時(shí)，如果不是受限于成本或者FLASH大小，不建議這樣讀寫內(nèi)部FLASH，以為stm32內(nèi)部FLASH也就
10W次壽命，這樣頻繁擦寫會(huì)大大降低FLASH壽命。
2、如果保存的數(shù)據(jù)不多，建議每個(gè)數(shù)據(jù)都單獨(dú)存1頁，這樣不用考慮擦除時(shí)會(huì)把其他數(shù)據(jù)也一并擦除。
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