基于SST39VF1601C/SST39VF1602C下的16 Mb（x16）多用途閃存

　　特性

　　? 按 1M x16 的形式組織：SST39VF1601C/1602C

　　? 單電壓讀寫(xiě)操作

　　– 2.7-3.6V

　　? 超高可靠性

　　– 可擦寫(xiě)次數(shù)：100，000 次 （典型值）

　　– 數(shù)據(jù)保存時(shí)間大于 100 年

　　? 低功耗 （5 MHz 時(shí)的典型值）

　　– 工作電流：9 mA （典型值）

　　– 待機(jī)電流：3 μA （典型值）

　　– 自動(dòng)低功耗模式：3 μA （典型值）

　　? 硬件塊保護(hù) /WP# 輸入引腳

　　– 頂部塊保護(hù) （頂部 8K 字）

　　– 底部塊保護(hù) （底部 8K 字）

　　? 扇區(qū)擦除功能

　　– 均一 2K 字扇區(qū)

　　? 塊擦除功能

　　– 靈活的塊架構(gòu)；一個(gè)8K字塊、兩個(gè)4K字塊、一個(gè)16K字

　　塊和 31 個(gè) 32K 字塊

　　? 全片擦除功能

　　? 擦除暫停 / 擦除繼續(xù)功能

　　? 硬件復(fù)位引腳 （RST#）

　　? 鎖存地址和數(shù)據(jù)

　　? 安全 ID 功能

　　– SST：128 位；用戶：128 字

　　? 快速讀取訪問(wèn)時(shí)間：

　　– 70 ns

　　? 快速擦除和字編程：

　　– 扇區(qū)擦除時(shí)間：18 ms （典型值）

　　– 塊擦除時(shí)間：18 ms （典型值）

　　– 全片擦除時(shí)間：40 ms （典型值）

　　– 字編程時(shí)間：7 μs （典型值）

　　? 自動(dòng)寫(xiě)時(shí)序

　　– 內(nèi)部 VPP 生成

　　? 寫(xiě)操作結(jié)束檢測(cè)

　　– 翻轉(zhuǎn)位

　　– 數(shù)據(jù) # 查詢

　　– 就緒 / 忙 # 引腳

　　? CMOS I/O 兼容性

　　? JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)

　　– 閃存 EEPROM 引腳排列和命令集

　　? 可用封裝

　　– 48 引腳 TSOP （12 mm x 20 mm）

　　– 48 球 TFBGA （6 mm x 8 mm）

　　– 48 球 WFBGA （4 mm x 6 mm）

　　? 所有器件均符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)