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特性
? 按 512K x16 的形式組織
? 單電壓讀寫操作
– 1.65-1.95V
? 超高可靠性
– 可擦寫次數(shù)：100，000 次 （典型值）
– 數(shù)據(jù)保存時(shí)間大于 100 年
? 低功耗 （5 MHz 時(shí)的典型值）
– 工作電流：5 mA （典型值） – 待機(jī)電流：5 μA （典型值）
? 扇區(qū)擦除功能
– 均一 2K 字扇區(qū)
? 塊擦除功能
– 均一 32K 字塊
? 快速讀取訪問時(shí)間
– 70 ns
? 鎖存地址和數(shù)據(jù)
? 快速擦除和字編程
– 扇區(qū)擦除時(shí)間：36 ms （典型值）
– 塊擦除時(shí)間：36 ms （典型值）
– 全片擦除時(shí)間：140 ms （典型值）
– 字編程時(shí)間：28 μs （典型值）
? 自動(dòng)寫時(shí)序
– 內(nèi)部 VPP 生成
? 寫操作結(jié)束檢測(cè)
– 翻轉(zhuǎn)位
– 數(shù)據(jù) # 查詢
? CMOS I/O 兼容性
? JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)
– 閃存 EEPROM 引腳排列和命令集
? 可用封裝
– 48 球 TFBGA （6 mm x 8 mm）
– 48 球 WFBGA （4 mm x 6 mm）微小封裝
– 48 球 XFLGA （5 mm x 6 mm）微小封裝
– 48 球 XFLGA （4 mm x 6 mm）微小封裝
? 所有器件均符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
- SST39SF010A/020A/040CMOS多用途閃存手冊(cè) 1次下載
- 基于SST39VF3201C/SST39VF3202C32 Mb （x16）多用途閃存
- 基于SST25WF512/SST25WF010/SST25WF020/SST25WF040下的串行閃存
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- 基于SST39WF400B下的4 Mb（x16）多用途閃存
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- 64Mb（x16）高級(jí)多用途閃存+SST38VF6401B/SST38VF6402B/SST38VF6403B/SST38VF6404B
- SST39LF200A/400A/800A/SST39VF200A/400A/800A原文資料數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF免費(fèi)下載(閃存技術(shù)) 15次下載
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