基于SST26WF016B/SST26WF016BA下的1.8V串行四I/O（SQI）閃存

　　特性

　　? 單電壓讀寫操作

　　- 1.65-1.95V

　　? 串行接口架構

　　- 采用類SPI串行命令結構的半字節(jié)寬復用I/O

　　- 模式0和模式3

　　- x1/x2/x4串行外設接口（Serial Peripheral

　　Interface，SPI）協(xié)議

　　? 高速時鐘頻率

　　- 最高104 MHz

　　? 突發(fā)模式

　　- 連續(xù)線性突發(fā)

　　- 8/16/32/64字節(jié)帶折回線性突發(fā)

　　? 超高可靠性

　　- 可擦寫次數：100，000次（最小值）

　　- 數據保存時間大于100年

　　? 低功耗：

　　- 讀操作工作電流：15 mA（104 MHz時的典

　　型值）

　　- 待機電流：8 μA（典型值）

　　? 頁編程

　　- x1或x4模式下每頁256字節(jié)

　　? 寫操作結束檢測

　　- 軟件輪詢狀態(tài)寄存器中的BUSY位

　　? 靈活的擦除功能

　　- 均一4 KB扇區(qū)

　　- 4個8 KB頂部和底部參數覆蓋塊

　　- 1個32 KB頂部和底部覆蓋塊

　　- 均一64 KB覆蓋塊

　　? 寫暫停

　　- 暫停編程或擦除操作以訪問另一個塊/扇區(qū)

　　? 軟件復位（RST）模式

　　? 軟件寫保護

　　- 獨立塊鎖定

　　- 64 KB塊、2個32 KB塊和8個8 KB參數塊

　　? 安全ID

　　- 可一次性編程（One-Time Programmable，

　　OTP）的2 KB安全ID

　　- 出廠前預編程的64位惟一標識符

　　- 用戶可編程區(qū)域

　　? 溫度范圍

　　- 工業(yè)級：-40°C至+85°C