資料介紹
1. 高壓高電流承載能力
TB62261FTG支持高達40V的電源電壓和最大1.8A的電流輸出,使其能夠驅(qū)動更大功率的步進電機。該芯片的輸出部分采用低導(dǎo)通電阻的MOSFET(高側(cè)+低側(cè)典型值為0.8Ω),這不僅降低了功率損耗,還提高了系統(tǒng)的效率。
2. 多步進模式
TB62261FTG支持全步、半步、四分之一步等多種步進分辨率,可以根據(jù)實際應(yīng)用需求選擇不同的驅(qū)動方式。這為不同的精度和速度要求提供了靈活性。例如,全步模式下,A相和B相的輸出電流為100%,確保了電機的平穩(wěn)運行,而在四分之一步模式下,可以更細膩地控制電機的每一步。
3. PWM恒流控制
該芯片內(nèi)置PWM恒流驅(qū)動功能,可以通過外部電阻和電容調(diào)節(jié)電機的斬波頻率。典型情況下,斬波頻率為100kHz,但可以根據(jù)需求調(diào)整在50kHz到150kHz之間。通過提高斬波頻率,可以減少電流波動,但也會增加芯片內(nèi)部的發(fā)熱量。因此,使用者需要在控制精度和熱管理之間做出平衡。
4. 內(nèi)置錯誤檢測機制
為了保證電路的穩(wěn)定性和安全性,TB62261FTG集成了多種錯誤檢測功能,包括熱關(guān)斷(TSD)、過流檢測(ISD)以及上電復(fù)位(POR)。當檢測到異常情況時,這些功能可以自動關(guān)閉輸出部分,避免芯片受到損壞。例如,當溫度達到臨界值時,熱關(guān)斷功能會觸發(fā),將芯片切換到待機模式,以保護芯片不受過熱損壞。
5. 封裝及散熱管理
TB62261FTG采用了P-WQFN48封裝,其尺寸為7mm x 7mm,封裝中的四角引腳和裸露焊盤需要連接到PCB的接地區(qū)域,以確保芯片的散熱效果。由于該芯片會處理大電流,合理的散熱設(shè)計非常重要。設(shè)計者在PCB布局時應(yīng)特別注意輸出、電源和接地引腳的布局,防止短路或過熱。
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