NI射頻芯片如何測(cè)試有哪些方法

隨著無(wú)線(xiàn)設(shè)備復(fù)雜性急劇增加，手機(jī)支持的頻段數(shù)量也在不斷增加。從最開(kāi)始的2個(gè)GSM頻段，到現(xiàn)在的4個(gè)GSM頻段，3個(gè) CDMA頻段，5個(gè)UMTS頻段和10個(gè)LTE頻段。未來(lái)，諸如5G New Radio等標(biāo)準(zhǔn)將繼續(xù)增加無(wú)線(xiàn)設(shè)備的復(fù)雜性。今天，我們將 為各位介紹6個(gè)使用NI PXIe、STS、VTS等NI的軟硬件系統(tǒng)完成的測(cè)試方案。

1、插入損耗Insertion Loss

對(duì)于很多射頻無(wú)源器件來(lái)說(shuō)，插入損耗是其中一個(gè)關(guān)鍵的測(cè)試項(xiàng)目。在一個(gè)系統(tǒng)之中，由于某個(gè)器件的插入而發(fā)生的功率的損耗便是插入損耗，通常插入損耗由dB來(lái)表示。一般來(lái)說(shuō)，對(duì)于射頻器件來(lái)說(shuō)，如果在器件插入之前傳輸給負(fù)載的功率是 ，插入之后負(fù)載接收到的功率是，則以dB為單位的插入損耗由下式給出公式：作為射頻開(kāi)關(guān)的關(guān)鍵指標(biāo)之一，每個(gè)開(kāi)關(guān)都會(huì)存在一些寄生電容、寄生電感、寄生電阻等。在開(kāi)關(guān)做信號(hào)路由的時(shí)候，這些寄生元件會(huì)直接將信號(hào)進(jìn)行衰減和降低。而這些寄生元件隨著輸入信號(hào)頻率的變化引起功率損耗，因此對(duì)于射頻開(kāi)關(guān)來(lái)說(shuō)在不同頻率下進(jìn)行插入損耗測(cè)試是必要的一步。