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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子資料>射頻VMMK器件如何通過(guò)降低寄生電感和電容提高性能

      射頻VMMK器件如何通過(guò)降低寄生電感和電容提高性能

      2020-08-21 | pdf | 0.32 MB | 次下載 | 1積分

      資料介紹

      　　VMMK器件晶圓等級(jí)和芯片封裝工藝

      　　如圖1所示，VMMK器件由于安華高特有的晶圓空腔工藝降低了損耗和常見(jiàn)的射頻表貼封裝帶來(lái)的寄生電路參數(shù)。通過(guò)消除焊接和封裝引腳之間的寄生電感和電容，在芯片和封裝間形成了一個(gè)低損耗和低阻抗的信號(hào)通道。在元件之上的空腔具有低介電常數(shù)因此能夠在高頻進(jìn)行工作，此外空腔能夠在器件應(yīng)用中提供機(jī)械保護(hù)。

      　　圖1 安華高低成本半導(dǎo)體工藝流程

      　　如圖2所示，器件的輸入端和輸出端都是通過(guò)晶圓背面的孔連接，消除了絲焊導(dǎo)致的性能下降。安華高關(guān)于VMMK金屬化和密封工藝保證了器件能夠在標(biāo)準(zhǔn)焊接流程下進(jìn)行操作。 VMMK器件工藝消除絲焊和改善熱特性能夠增加貼片的穩(wěn)定性。VMMK器件工藝在表貼工藝流程中沒(méi)有增加任何新的設(shè)備，現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)貼片設(shè)備完全滿足要求。最后，通過(guò)消除封裝管腳引線，VMMK器件相對(duì)于傳統(tǒng)的射頻表貼器件變的更薄，更輕和布板面積更小。例如，VMMK-2x03 射頻放大器（1mm*0.5mm*0.25mm）只需要SOT-342封裝5%的體積和10%的PCB面積。相比于許多標(biāo)準(zhǔn)的射頻表貼封裝器件，VMMK器件至少節(jié)省了50%的PCB面積。隨著寄生效應(yīng)的減少，VMMK器件直接與PCB導(dǎo)線相連降低信號(hào)通道上的損耗。VMMK器件的空腔結(jié)構(gòu)能夠有效的降低寄生參數(shù)和提高性能。

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