資料介紹
東科推出的DK036G是一款高度集成的QR反激合封氮化鎵芯片,芯片內(nèi)部集成650V 400mΩ氮化鎵開(kāi)關(guān)管、控制器、驅(qū)動(dòng)器、高壓啟動(dòng)電路和保護(hù)單元。芯片通過(guò)內(nèi)部快速頻率折返功能來(lái)調(diào)制最小峰值電流,達(dá)到快速降低開(kāi)關(guān)頻率的目的,從而有效降低系統(tǒng)在輕載下的損耗,提升系統(tǒng)的效率。芯片采用130KHz PWM開(kāi)關(guān)頻率,可以有效縮小充電器的變壓器體積,得到性能和成本的平衡。DK036G內(nèi)置過(guò)熱、過(guò)流、過(guò)壓和輸出短路、次級(jí)開(kāi)路保護(hù)功能,采用ESOP-8封裝形式,可通過(guò)PCB銅箔散熱,簡(jiǎn)化散熱要求,降低溫升??梢詮V泛應(yīng)用于PD快充和電源適配器。
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