如何進行DDR4的設計資料概述及分析仿真案例概述

　　DRAM （動態(tài)隨機訪問存儲器）對設計人員特別具有吸引力，因為它提供了廣泛的性能，用于各種計算機和嵌入式系統(tǒng)的存儲系統(tǒng)設計中。本文概括闡述了DRAM 的概念，及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM、DDR5 SDRAM、LPDDR、GDDR。

　　DRAM

　　DRAM較其它內存類型的一個優(yōu)勢是它能夠以IC（集成電路）上每個內存單元更少的電路實現(xiàn)。DRAM 的內存單元基于電容器上貯存的電荷。典型的DRAM 單元使用一個電容器及一個或三個FET（場效應晶體管）制成。典型的SRAM （靜態(tài)隨機訪問內存）內存單元采取六個FET 器件，降低了相同尺寸時每個IC 的內存單元數(shù)量。與DRAM 相比，SRAM 使用起來更簡便，接口更容易，數(shù)據(jù)訪問時間更快。

　　DRAM核心結構由多個內存單元組成，這些內存單元分成由行和列組成的兩維陣列（參見圖1）。訪問內存單元需要兩步。先尋找某個行的地址，然后在選定行中尋找特定列的地址。換句話說，先在DRAM IC 內部讀取整個行，然后列地址選擇DRAM IC I/O（輸入/ 輸出）針腳要讀取或要寫入該行的哪一列。

　　DRAM讀取具有破壞性，也就是說，在讀操作中會破壞內存單元行中的數(shù)據(jù)。因此，必需在該行上的讀或寫操作結束時，把行數(shù)據(jù)寫回到同一行中。這一操作稱為預充電，是行上的最后一項操作。必須完成這一操作之后，才能訪問新的行，這一操作稱為關閉打開的行。

　　對計算機內存訪問進行分析后表明，內存訪問中最常用的類型是讀取順序的內存地址。這是合理的，因為讀取計算機指令一般要比數(shù)據(jù)讀取或寫入更加常用。此外，大多數(shù)指令讀取在內存中順序進行，直到發(fā)生到指令分支或跳到子例程。