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以界面勢壘對(duì)碳納米管(CNT)場發(fā)射的影響為研究目的，在硅襯底上引進(jìn)很薄的二氧化硅層，以二氧化硅層作為絕緣勢壘，然后在二氧化硅界面層上直接生長CNT，來研究二氧化硅絕緣勢壘層對(duì)CNT場發(fā)射的影響。場發(fā)射結(jié)果為：Fowler-Nordheim(F-N)曲線分為兩部分,高電場下偏離F-N曲線并趨于飽和。在雙勢壘模型的基礎(chǔ)上，從電場在兩勢壘上的分布不同及電子在兩勢壘上的隧穿幾率不同，理論上分析了界面勢壘對(duì)場發(fā)射的影響：低電場下電子在界面勢壘的隧穿幾率大于在表面勢壘的隧穿幾率，界面勢壘對(duì)場發(fā)射不起阻礙作用，場發(fā)射遵守F-N規(guī)律；高電場下電子在界面勢壘的隧穿幾率小于在表面勢壘的隧穿幾率，場發(fā)射偏離F-N規(guī)律。理論對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行了合理的解釋。
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