資料介紹
1 引言
頻率源是所有電子系統(tǒng)(雷達(dá)、通訊、測(cè)控、導(dǎo)航等)的基本信號(hào)來(lái)源,其主要包括固定頻率源和合成頻率源兩類。其中合成頻率源又稱頻率合成(綜合)器,按其構(gòu)成方式可分為直接式和間接式。采用鎖相環(huán)(PLL)技術(shù)的間接頻率合成器目前應(yīng)用最為廣泛。直接模擬頻率合成器(DAS)采用倍頻器、分頻器、混頻器及微波開(kāi)關(guān)來(lái)實(shí)現(xiàn)頻率合成,具有最優(yōu)的近端相位噪聲和高速捷變頻特性,但結(jié)構(gòu)復(fù)雜、成本昂貴的特點(diǎn)限制其只能應(yīng)用于雷達(dá)等高端領(lǐng)域。直接數(shù)字合成器(DDS)目前也得到了廣泛應(yīng)用,但高性能DDS產(chǎn)品的輸出頻率還有待提高,在微波領(lǐng)域其往往與鎖相技術(shù)結(jié)合以混合方式實(shí)現(xiàn)微波頻率合成。鎖相技術(shù)與直接式倍頻器或DDS相結(jié)合的混合式頻率合成器在提高系統(tǒng)性能的同時(shí)降低了DAS合成方式的成本,已逐漸取代部分DAS合成頻率源應(yīng)用在高性能頻率源領(lǐng)域。
2 主要功能、技術(shù)指標(biāo)和方案分析
2.1 主要功能及技術(shù)指標(biāo)
根據(jù)技術(shù)要求,該頻綜器的輸出信號(hào)包括一本振、主振等五路輸出信號(hào);二本振、主振信號(hào)分別為L(zhǎng)波段、X波段的寬帶捷變頻輸出,一本振信號(hào)為X波段的固定頻率輸出,另一路為15MHz固定頻率TTL電平輸出,并具有主振輸出預(yù)調(diào)制、BPSK等功能,所有輸出頻率共用一個(gè)恒溫晶體振蕩器作為參考源,以確保各路輸出頻率相參。主振信號(hào)的主要技術(shù)指標(biāo)如下:
輸出頻率:X波段(帶寬大于200MHz)
頻率間隔:15MHz
輸出功率:10dBm±1dB
跳頻時(shí)間:≤50μs
雜波抑制:≤-70dBc
相噪(dBc/Hz):-95 @1kHz -100 @10kHz
-100 @10kHz -125 @1MHz
2.2 方案分析
由于系統(tǒng)對(duì)頻綜器的相位噪聲指標(biāo)要求比較高,所以針對(duì)固定輸出或內(nèi)部使用的頻率點(diǎn),我們采用DAS技術(shù),通過(guò)分頻、倍頻、混頻、濾波、放大等方式,得到所需要的輸出頻率。針對(duì)捷變頻輸出,因?yàn)橄辔辉肼曋笜?biāo)要求比較高,輸出頻率點(diǎn)較多,達(dá)12個(gè)頻率點(diǎn),而跳頻時(shí)間要求≤50μs,所以采用單環(huán)PLL技術(shù),先得到二本振(LO2)信號(hào),再?gòu)亩菊耨詈弦宦份敵雠c微波基準(zhǔn)(PDRO)混頻,將輸出頻率搬移到高頻頻段上,即可得到主振信號(hào),這樣做可保持相噪最佳,以保證二本振和主振信號(hào)的相位噪聲和跳頻時(shí)間指標(biāo)。通過(guò)設(shè)計(jì)小體積的濾波器、微封裝的放大器、開(kāi)關(guān)等,合理地選擇頻率,配置功率電平,可充分發(fā)揮DAS低相噪和PLL捷變頻的優(yōu)點(diǎn),并且能夠滿足雜波抑制等技術(shù)指標(biāo)的要求。
(a)模塊劃分
?。╞)總體框圖
圖1 X波段頻率綜合器組成框圖
通過(guò)以上分析,我們將頻綜器分成兩個(gè)模塊,其組成框圖如圖1所示。中頻源模塊通過(guò)分頻、倍頻、鎖相、濾波、放大等相應(yīng)處理,產(chǎn)生100MHz、240MHz、300MHz和LO2信號(hào);微波源模塊主要是利用中頻源模塊產(chǎn)生的100MHz、240MHz、300MHz和LO2信號(hào),通過(guò)混頻、鎖相、濾波、放大等相應(yīng)處理,得到主振 (FT)等信號(hào)。
頻率源是所有電子系統(tǒng)(雷達(dá)、通訊、測(cè)控、導(dǎo)航等)的基本信號(hào)來(lái)源,其主要包括固定頻率源和合成頻率源兩類。其中合成頻率源又稱頻率合成(綜合)器,按其構(gòu)成方式可分為直接式和間接式。采用鎖相環(huán)(PLL)技術(shù)的間接頻率合成器目前應(yīng)用最為廣泛。直接模擬頻率合成器(DAS)采用倍頻器、分頻器、混頻器及微波開(kāi)關(guān)來(lái)實(shí)現(xiàn)頻率合成,具有最優(yōu)的近端相位噪聲和高速捷變頻特性,但結(jié)構(gòu)復(fù)雜、成本昂貴的特點(diǎn)限制其只能應(yīng)用于雷達(dá)等高端領(lǐng)域。直接數(shù)字合成器(DDS)目前也得到了廣泛應(yīng)用,但高性能DDS產(chǎn)品的輸出頻率還有待提高,在微波領(lǐng)域其往往與鎖相技術(shù)結(jié)合以混合方式實(shí)現(xiàn)微波頻率合成。鎖相技術(shù)與直接式倍頻器或DDS相結(jié)合的混合式頻率合成器在提高系統(tǒng)性能的同時(shí)降低了DAS合成方式的成本,已逐漸取代部分DAS合成頻率源應(yīng)用在高性能頻率源領(lǐng)域。
2 主要功能、技術(shù)指標(biāo)和方案分析
2.1 主要功能及技術(shù)指標(biāo)
根據(jù)技術(shù)要求,該頻綜器的輸出信號(hào)包括一本振、主振等五路輸出信號(hào);二本振、主振信號(hào)分別為L(zhǎng)波段、X波段的寬帶捷變頻輸出,一本振信號(hào)為X波段的固定頻率輸出,另一路為15MHz固定頻率TTL電平輸出,并具有主振輸出預(yù)調(diào)制、BPSK等功能,所有輸出頻率共用一個(gè)恒溫晶體振蕩器作為參考源,以確保各路輸出頻率相參。主振信號(hào)的主要技術(shù)指標(biāo)如下:
輸出頻率:X波段(帶寬大于200MHz)
頻率間隔:15MHz
輸出功率:10dBm±1dB
跳頻時(shí)間:≤50μs
雜波抑制:≤-70dBc
相噪(dBc/Hz):-95 @1kHz -100 @10kHz
-100 @10kHz -125 @1MHz
2.2 方案分析
由于系統(tǒng)對(duì)頻綜器的相位噪聲指標(biāo)要求比較高,所以針對(duì)固定輸出或內(nèi)部使用的頻率點(diǎn),我們采用DAS技術(shù),通過(guò)分頻、倍頻、混頻、濾波、放大等方式,得到所需要的輸出頻率。針對(duì)捷變頻輸出,因?yàn)橄辔辉肼曋笜?biāo)要求比較高,輸出頻率點(diǎn)較多,達(dá)12個(gè)頻率點(diǎn),而跳頻時(shí)間要求≤50μs,所以采用單環(huán)PLL技術(shù),先得到二本振(LO2)信號(hào),再?gòu)亩菊耨詈弦宦份敵雠c微波基準(zhǔn)(PDRO)混頻,將輸出頻率搬移到高頻頻段上,即可得到主振信號(hào),這樣做可保持相噪最佳,以保證二本振和主振信號(hào)的相位噪聲和跳頻時(shí)間指標(biāo)。通過(guò)設(shè)計(jì)小體積的濾波器、微封裝的放大器、開(kāi)關(guān)等,合理地選擇頻率,配置功率電平,可充分發(fā)揮DAS低相噪和PLL捷變頻的優(yōu)點(diǎn),并且能夠滿足雜波抑制等技術(shù)指標(biāo)的要求。
(a)模塊劃分
?。╞)總體框圖
圖1 X波段頻率綜合器組成框圖
通過(guò)以上分析,我們將頻綜器分成兩個(gè)模塊,其組成框圖如圖1所示。中頻源模塊通過(guò)分頻、倍頻、鎖相、濾波、放大等相應(yīng)處理,產(chǎn)生100MHz、240MHz、300MHz和LO2信號(hào);微波源模塊主要是利用中頻源模塊產(chǎn)生的100MHz、240MHz、300MHz和LO2信號(hào),通過(guò)混頻、鎖相、濾波、放大等相應(yīng)處理,得到主振 (FT)等信號(hào)。
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