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本文采用 MEDICI 作為集成電路ESD 保護(hù)常用器件—柵極接地N 型MOS 管
（GGNMOS）ESD 性能分析的仿真工具，綜合分析了各種對GGNMOS 的ESD 性能有
影響的因素，如襯底摻雜、柵長、接觸孔距離等，為深亞微米下ESD 保護(hù)器件GGNMOS
的設(shè)計(jì)提供了依據(jù)。通過分析發(fā)現(xiàn)襯底接觸孔到柵極距離對GGNMOS 器件ESD 性能也
有一定影響，此前，對這一因素的討論較少。最后，根據(jù)分析結(jié)果，給出了一個(gè)符合
ESD 性能要求的器件設(shè)計(jì)。
關(guān)鍵詞ESD，MEDICI，深亞微米GGNMOS
（GGNMOS）ESD 性能分析的仿真工具，綜合分析了各種對GGNMOS 的ESD 性能有
影響的因素，如襯底摻雜、柵長、接觸孔距離等，為深亞微米下ESD 保護(hù)器件GGNMOS
的設(shè)計(jì)提供了依據(jù)。通過分析發(fā)現(xiàn)襯底接觸孔到柵極距離對GGNMOS 器件ESD 性能也
有一定影響，此前，對這一因素的討論較少。最后，根據(jù)分析結(jié)果，給出了一個(gè)符合
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