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40 nm 工藝的電路技術(shù)
40-nm 工藝要比以前包括65-nm 節(jié)點(diǎn)和最近的45-nm 節(jié)點(diǎn)在內(nèi)的工藝技術(shù)有明顯優(yōu)勢。最引人注目的優(yōu)勢之一是其更高的集成度，半導(dǎo)體生產(chǎn)商可以在更小的物理空間中實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)的功能。和65-nm 工藝相比，45-nm 工藝密度提高了一倍，而40-nm 工藝密度達(dá)到了2.35 倍。
半導(dǎo)體行業(yè)一直在不斷的邁向更小的工藝節(jié)點(diǎn)，在設(shè)備、工藝技術(shù)、設(shè)計(jì)工具和電路技術(shù)上進(jìn)行大量投入，以解決出現(xiàn)的各種問題。整個(gè)行業(yè)普遍面臨的挑戰(zhàn)是小工藝尺寸上越來越大的泄漏功率問題， 40nm 工藝節(jié)點(diǎn)( 以及以前的節(jié)點(diǎn)) 采用了很多技術(shù)手段來管理泄漏功率，進(jìn)一步提高性能，或者保持性能不變。Altera利用業(yè)界最新的技術(shù)手段，繼續(xù)交付最前沿的FPGA，如表5 所示。
40-nm 工藝要比以前包括65-nm 節(jié)點(diǎn)和最近的45-nm 節(jié)點(diǎn)在內(nèi)的工藝技術(shù)有明顯優(yōu)勢。最引人注目的優(yōu)勢之一是其更高的集成度，半導(dǎo)體生產(chǎn)商可以在更小的物理空間中實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)的功能。和65-nm 工藝相比，45-nm 工藝密度提高了一倍，而40-nm 工藝密度達(dá)到了2.35 倍。
半導(dǎo)體行業(yè)一直在不斷的邁向更小的工藝節(jié)點(diǎn)，在設(shè)備、工藝技術(shù)、設(shè)計(jì)工具和電路技術(shù)上進(jìn)行大量投入，以解決出現(xiàn)的各種問題。整個(gè)行業(yè)普遍面臨的挑戰(zhàn)是小工藝尺寸上越來越大的泄漏功率問題， 40nm 工藝節(jié)點(diǎn)( 以及以前的節(jié)點(diǎn)) 采用了很多技術(shù)手段來管理泄漏功率，進(jìn)一步提高性能，或者保持性能不變。Altera利用業(yè)界最新的技術(shù)手段，繼續(xù)交付最前沿的FPGA，如表5 所示。
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