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      高密度等離子體化學(xué)氣相淀積(HDP CVD)工藝

      2009-12-17 | rar | 344 | 次下載 | 5積分

      資料介紹

      高密度等離子體化學(xué)氣相淀積(HDP CVD)工藝
      隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，單個(gè)芯片上所能承載的晶體管數(shù)量以驚人的速度增
      長(zhǎng)，與此同時(shí)，半導(dǎo)體制造商們出于節(jié)約成本的需要迫切地希望單個(gè)晶圓上能夠容納更
      多的芯片。這種趨勢(shì)推動(dòng)了半導(dǎo)體器件特征尺寸的顯著減小，相應(yīng)地也對(duì)芯片制造工藝
      提出了更高的要求，其中一個(gè)具有挑戰(zhàn)性的難題就是絕緣介質(zhì)在各個(gè)薄膜層之間均勻無(wú)
      孔的填充，以提供充分有效的隔離保護(hù)，包括淺槽隔離(Shallow-Trench-Isolation)，金屬
      前絕緣層(Pre-Metal-Dielectric)，金屬層間絕緣層(Inter-Metal-Dielectric)等等。本文所介
      紹的高密度等離子體化學(xué)氣相淀積(HDP CVD)工藝自20 世紀(jì)90 年代中期開(kāi)始被先進(jìn)的
      芯片工廠(chǎng)采用以來(lái)，以其卓越的填孔能力、穩(wěn)定的淀積質(zhì)量、可靠的電學(xué)特性等諸多優(yōu)
      點(diǎn)而迅速成為0.25 微米以下先進(jìn)工藝的主流。圖1 所示即為在超大規(guī)模集成電路中
      HDP CVD 工藝的典型應(yīng)用。
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