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標簽 > 低導(dǎo)通電阻
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由于NMOS和PMOS在原理和生產(chǎn)工藝上存在差異,導(dǎo)致同價格的NMOS在開通速度、額定電流、導(dǎo)通內(nèi)阻這些參數(shù)上均優(yōu)于PMOS,所以設(shè)計中盡量優(yōu)先選擇NMOS。
2024-04-25 標簽:電機控制導(dǎo)通電阻電源開關(guān) 3459 0
ROHM開發(fā)具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
新產(chǎn)品不僅利用微細化工藝提高了器件性能,還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝,實現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導(dǎo)通電阻(Ron)*2,...
2023-05-10 標簽:MOSFET電機驅(qū)動低導(dǎo)通電阻 406 0
芯佰微推出四個獨立可選開關(guān)的單芯片CMOS工藝器件
CBMG713表現(xiàn)出先斷后合的切換動作。CBMG711/CBMG712/CBMG713支持TSSOP16和SOP16封裝。
2023-04-17 標簽:CMOS導(dǎo)通電阻低導(dǎo)通電阻 469 0
ROHM開發(fā)出第4代SiC MOSFET實現(xiàn)了業(yè)界先進的低導(dǎo)通電阻
ROHM于2015年世界上第一家成功地實現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的量產(chǎn),并一直致力于提高SiC功率元器件的性能。
2021-01-07 標簽:MOSFET逆變器低導(dǎo)通電阻 1984 0
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