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內(nèi)存技術(shù)

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內(nèi)存技術(shù)技術(shù)

堆疊封裝技術(shù)的類型解析

堆疊封裝技術(shù)的類型解析

DDR作為一種內(nèi)存技術(shù)正朝著更高性能、更低功耗的方向發(fā)展。應(yīng)用前景廣闊,將對半導(dǎo)體、計算機、汽車、新能源及各行業(yè)發(fā)展產(chǎn)生影響巨大。

2024-11-05 標簽:芯片半導(dǎo)體封裝 210 0

DDR4的主要參數(shù)

DDR4(Double Data Rate 4)作為當(dāng)前主流的計算機內(nèi)存技術(shù),相較于其前身DDR3,在性能、功耗、容量等多個方面都有了顯著提升。

2024-09-04 標簽:計算機DDR4內(nèi)存技術(shù) 1768 0

深度解析HBM內(nèi)存技術(shù)

深度解析HBM內(nèi)存技術(shù)

HBM作為基于3D堆棧工藝的高性能DRAM,打破內(nèi)存帶寬及功耗瓶頸。HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲器,通過使用先進封裝...

2024-01-02 標簽:存儲器gpu內(nèi)存 4785 0

AI服務(wù)器的內(nèi)存接口芯片技術(shù)

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DXG 服務(wù)器配備 8 塊 H100 GPU,6400億個晶體管,在全新的 FP8 精度下 AI 性能比上一代高 6 倍,可提供 900GB/s 的帶寬。

2023-12-13 標簽:NVIDIADDR4內(nèi)存技術(shù) 814 0

ReRAM能否取代NOR?

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“與MRAM相比,ReRAM有兩個主要優(yōu)勢——工藝簡單和更寬的讀取窗口,”的內(nèi)存技術(shù)專家Jongsin Yun說西門子EDA?!癕RAM需要10層以上的...

2023-11-22 標簽:存儲器晶體管MRAM 757 0

可直接訪問的分離式內(nèi)存DirectCXL應(yīng)用案例

可直接訪問的分離式內(nèi)存DirectCXL應(yīng)用案例

分離式內(nèi)存由于可以提升內(nèi)存利用率而備受關(guān)注,現(xiàn)有的分離式內(nèi)存可以根據(jù)它們?nèi)绾喂芾頂?shù)據(jù)分為1)page-based和2)object-based。Page...

2023-10-18 標簽:處理器網(wǎng)絡(luò)交換機RDMA 763 0

深度解析三星內(nèi)存處理技術(shù)(PIM)

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在Hot Chips 2023上,三星展示了內(nèi)存技術(shù),內(nèi)存的主要成本是將數(shù)據(jù)從各種存儲和內(nèi)存位置傳輸?shù)綄嶋H的計算引擎。

2023-10-07 標簽:cpuAI內(nèi)存技術(shù) 1003 0

DDR3和DDR4的技術(shù)特性對比

摘要:本文將對DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進行詳細的比較,分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場景。通過對比這兩種內(nèi)存技術(shù),為讀者在購買和使用內(nèi)存產(chǎn)品...

2023-09-27 標簽:DDR3計算機數(shù)據(jù)中心 3417 0

NVIDIA最強CPU芯片架構(gòu)——NVIDIA Grace CPU

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NVIDIA Grace Hopper Superchip將節(jié)能、高帶寬的 NVIDIA Grace CPU 與功能強大的 NVIDIA H100 Ho...

2023-08-30 標簽:armcpuNVIDIA 1331 0

一文詳解Linux虛擬內(nèi)存技術(shù)

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  以存儲單元為單位來管理顯然不現(xiàn)實,因此Linux把虛存空間分成若干個大小相等的存儲分區(qū),Linux把這樣的分區(qū)叫做頁。為了換入、換出的方便,物理內(nèi)存...

2023-07-17 標簽:LinuxLinux系統(tǒng)物理內(nèi)存 543 0

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內(nèi)存技術(shù)資訊

三星2025年后將首家進入3D DRAM內(nèi)存時代

在Memcon 2024上,三星披露了兩款全新的3D DRAM內(nèi)存技術(shù)——垂直通道晶體管和堆棧DRAM。垂直通道晶體管通過降低器件面積占用,實現(xiàn)性能提升;

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美光科技開始量產(chǎn)HBM3E高帶寬內(nèi)存解決方案

美光科技股份有限公司(Micron Technology, Inc.)是全球內(nèi)存與存儲解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商,近日宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)其HBM3E高帶寬內(nèi)存解...

2024-03-05 標簽:gpu美光科技內(nèi)存技術(shù) 816 0

價格暴漲500%,HBM3e市場徹底被引爆

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內(nèi)存技術(shù)作為計算機系統(tǒng)的核心組成部分,其性能的提升對于整體計算能力的提升至關(guān)重要。

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三星與紅帽共同驗證CXL技術(shù),推動內(nèi)存技術(shù)發(fā)展

  三星與知名開源軟件解決方案供應(yīng)商紅帽合作,突破性地實現(xiàn)了CXL技術(shù)在實際用戶場景中的驗證。此次重大進展將為全球企業(yè)客戶提供更強大的算力支持,實現(xiàn)硬件...

2023-12-27 標簽:開源軟件內(nèi)存技術(shù)三星 507 0

OpenHarmony構(gòu)建了一套完善的內(nèi)存解決方案——ESWAP

ZRAM 即內(nèi)存壓縮技術(shù),如圖 2 所示,在系統(tǒng)的物理內(nèi)存不足時,將系統(tǒng)物理內(nèi)存的一部分劃分出來作為 ZRAM 分區(qū),然后把不常用的匿名頁壓縮后放到 Z...

2022-05-11 標簽:操作系統(tǒng)內(nèi)存技術(shù)OpenHarmony 1083 0

美光攜手聯(lián)發(fā)科率先完成 LPDDR5X 驗證

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美光科技今日宣布,MediaTek Inc. ( 聯(lián)發(fā)科技 ) 已在其全新的 5G 旗艦智能手機芯片天璣 9000 平臺上完成了對美光 LPDDR5X ...

2021-11-24 標簽:聯(lián)發(fā)科AI美光 2050 0

三星首次推出 HBM-PIM 技術(shù),功耗降低 71% 提供兩倍多性能

三星昨日宣布了一項新的突破,面向 AI 人工智能市場首次推出了 HBM-PIM 技術(shù),據(jù)介紹,新架構(gòu)可提供兩倍多的系統(tǒng)性能,并將功耗降低 71%。 在此...

2021-02-18 標簽:芯片三星電子人工智能 2271 0

MRAM與其他內(nèi)存技術(shù)相比較具有相對優(yōu)勢

MRAM是一種非易失性存儲技術(shù),可以在不需要電源的情況下將其內(nèi)容保留至少10年。它適用于在系統(tǒng)崩潰期間需要保存數(shù)據(jù)的商業(yè)應(yīng)用?;贛RA...

2020-12-15 標簽:嵌入式系統(tǒng)存儲MRAM 416 0

伴隨著小米1的0全球首發(fā),LPDDR5已經(jīng)成為了熱點

內(nèi)存技術(shù)的進階就如一道指揮棒,指引著應(yīng)用煥發(fā)新生機。隨著小米10全球首發(fā)LPDDR5成為熱點,成功讓LPDDR5站上了熱搜。 作為Low Power D...

2020-08-29 標簽:小米內(nèi)存技術(shù) 701 0

2029年新興記憶體市場200億美元 制造設(shè)備收入翻漲33倍

根據(jù)Objective Analysis和Coughlin Associates(Emerging Memories Ramp Up)最新發(fā)布的研究報告...

2019-07-10 標簽:記憶體內(nèi)存技術(shù)3D Xpoint 3460 0

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內(nèi)存技術(shù)數(shù)據(jù)手冊

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  • STM32F103C8T6
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  • TMS320F28335
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    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點DSP處理器
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振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
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電機驅(qū)動器 步進驅(qū)動器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
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5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
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