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標簽 > 刻蝕工藝

刻蝕工藝

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刻蝕工藝技術(shù)

Bosch刻蝕工藝的制造過程

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Bosch刻蝕工藝作為微納加工領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù),對于HBM和TSV的制造起到了至關(guān)重要的作用。

2024-10-31 標簽:工藝BOSCH刻蝕工藝 218 0

半導體芯片制造技術(shù)之干法刻蝕工藝詳解

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今天我們要一起揭開一個隱藏在現(xiàn)代電子設(shè)備背后的高科技秘密——干法刻蝕工藝。這不僅是一場對微觀世界的深入探秘,更是一次對半導體芯片制造藝術(shù)的奇妙之旅。

2024-08-26 標簽:芯片半導體刻蝕工藝 941 0

半導體制造技術(shù)之刻蝕工藝

W刻蝕工藝中使用SF6作為主刻步氣體,并通過加入N2以增加對光刻膠的選擇比,加入O2減少碳沉積。在W回刻工藝中分為兩步,第一步是快速均勻地刻掉大部分W,...

2023-12-06 標簽:半導體制造技術(shù)刻蝕工藝 6378 0

晶圓級封裝工藝:濺射工藝和電鍍工藝

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濺射是一種在晶圓表面形成金屬薄膜的物理氣相沉積(PVD)6工藝。如果晶圓上形成的金屬薄膜低于倒片封裝中的凸點,則被稱為凸點下金屬層(UBM,Under ...

2023-10-20 標簽:半導體晶圓封裝工藝 8821 0

芯片制造的刻蝕工藝科普

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在半導體制程工藝中,有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝,如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉,“刻蝕”工藝則是...

2023-09-24 標簽:半導體晶圓制程工藝 2362 0

碳化硅功率半導體工藝流程

首先,以高純硅粉和高純碳粉為原料生長SiC,通過物理氣相傳輸(PVT)制備單晶 第二,使用多線切割設(shè)備切割SiC,晶體切成薄片,厚度不超過1毫米 ...

2023-09-06 標簽:功率半導體光刻膠碳化硅 1263 0

刻蝕工藝主要分為哪幾種類型 刻蝕的目的是什么?

PVP可以在刻蝕過程中形成一層保護性的膜,降低刻蝕劑對所需刻蝕材料的腐蝕作用。它可以填充材料表面的裂縫、孔洞和微小空隙,并防止刻蝕劑侵入。這樣可以減少不...

2023-08-17 標簽:芯片封裝半導體器件刻蝕 5911 0

半導體前端工藝之刻蝕工藝

在半導體前端工藝第三篇中,我們了解了如何制作“餅干模具”。本期,我們就來講講如何采用這個“餅干模具”印出我們想要的“餅干”。這一步驟的重點,在于如何移除...

2023-08-10 標簽:半導體晶圓制造技術(shù) 1000 0

詳解半導體前端工藝之沉積工藝

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和在刻蝕工藝中一樣,半導體制造商在沉積過程中也會通過控制溫度、壓力等不同條件來把控膜層沉積的質(zhì)量。例如,降低壓強,沉積速率就會放慢,但可以提高垂直方向的...

2023-07-02 標簽:半導體制造工藝刻蝕工藝 2764 0

淺談半導體制造中的刻蝕工藝

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在上一篇文章,我們介紹了光刻工藝,即利用光罩(掩膜)把設(shè)計好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步,將在晶圓上進行刻蝕工藝,以去除不必要的材料...

2023-06-28 標簽:半導體等離子體晶圓 1322 0

半導體八大工藝之刻蝕工藝:干法刻蝕

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在干法蝕刻中,氣體受高頻(主要為 13.56 MHz 或 2.45 GHz)激發(fā)。在 1 到 100 Pa 的壓力下,其平均自由程為幾毫米到幾厘米。

2023-06-20 標簽:半導體晶圓蝕刻 1.0萬 0

3D NAND刻蝕工藝的挑戰(zhàn)及特點

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中國科學院大學集成電路學院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學院。為了提高學生對先進光刻技術(shù)的理解,本學期集成電路學院開設(shè)了《集成電路先進光刻技術(shù)與版圖設(shè)...

2023-06-12 標簽:集成電路NAND3D 913 0

玻璃通孔工藝(TGV)簡介

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硅基轉(zhuǎn)接板2.5 D集成技術(shù)作為先進的系統(tǒng)集成技術(shù),近年來得到迅猛的發(fā)展。但硅基轉(zhuǎn)接板存在兩個的主要問題。

2023-05-06 標簽:半導體嵌入式濾波器 3873 0

半導體圖案化工藝流程之刻蝕簡析

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圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。

2023-04-28 標簽:半導體晶圓刻蝕工藝 1553 0

半導體行業(yè)之刻蝕工藝介紹

壓力主要控制刻蝕均勻性和刻蝕輪廓,同時也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會改變電子和離子的平均自由程(MFP),進而影響等離子體和刻蝕速率的均勻性。

2023-04-17 標簽:半導體IC設(shè)計刻蝕工藝 3034 0

半導體行業(yè)之刻蝕工藝技術(shù)

DRAM柵工藝中,在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素...

2023-04-07 標簽:集成電路晶體管IC芯片 3564 0

多晶硅蝕刻工藝講解

下圖顯示了Intel的第6代晶體管(6T)SRAM尺寸縮小時間表,以及多晶硅柵刻蝕技術(shù)后從90nm到22nm技術(shù)節(jié)點6TSRAM單元的SEM圖像俯視視圖...

2023-04-03 標簽:多晶硅MOSFETsram 3759 0

半導體刻蝕工藝簡述(3)

對于濕法刻蝕,大部分刻蝕的終點都取決于時間,而時間又取決于預(yù)先設(shè)定的刻蝕速率和所需的刻蝕厚度。由于缺少自動監(jiān)測終點的方法,所以通常由操作員目測終點。濕法...

2023-03-06 標簽:芯片半導體等離子體 2530 0

半導體刻蝕工藝簡述(2)

嚴重的離子轟擊將產(chǎn)生大量的熱量,所以如果沒有適當?shù)睦鋮s系統(tǒng),晶圓溫度就會提高。對于圖形化刻蝕,晶圓上涂有一層光刻膠薄膜作為圖形屏蔽層,如果晶圓溫度超過1...

2023-03-06 標簽:半導體等離子體晶圓 1266 0

半導體刻蝕工藝簡述(1)

等離子體最初用來刻蝕含碳物質(zhì),例如用氧等離子體剝除光刻膠,這就是所謂的等離子體剝除或等離子體灰化。等離子體中因高速電子分解碰撞產(chǎn)生的氧原子自由基會很快與...

2023-03-06 標簽:半導體等離子體晶圓 1853 0

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