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標(biāo)簽 > 功率器件

功率器件

功率器件

+關(guān)注41人關(guān)注

功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

文章:1616個(gè) 瀏覽:90248 帖子:49個(gè)

功率器件技術(shù)

碳化硅(SiC)功率器件的開關(guān)性能比較

碳化硅(SiC)功率器件的開關(guān)性能比較

過去十年,碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉(zhuǎn)換器中的高功率密度和高效率而備受關(guān)注。制造商們已經(jīng)開始采用碳化硅技術(shù)來開發(fā)基于各種半導(dǎo)體器件的功率模塊,如...

2024-05-30 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 562 0

芯片GPU功率器件低熱阻低滲油導(dǎo)熱硅脂

芯片GPU功率器件低熱阻低滲油導(dǎo)熱硅脂

導(dǎo)熱硅脂作為一種散熱材料,在電子設(shè)備和其他應(yīng)用中發(fā)揮著重要的作用。主要起到以下幾個(gè)方面的功能:1、傳導(dǎo)熱量:導(dǎo)熱硅脂是一種導(dǎo)熱材料,其主要作用是加強(qiáng)熱量...

2024-05-20 標(biāo)簽:芯片gpu功率器件 419 0

英飛凌CoolSiC? MOSFET G2,助力下一代高性能電源系統(tǒng)

英飛凌CoolSiC? MOSFET G2,助力下一代高性能電源系統(tǒng)

所有現(xiàn)代硅功率器件都基于溝槽技術(shù),并已取代了平面技術(shù),那么碳化硅呢?就碳化硅而言,溝槽設(shè)計(jì)在性能優(yōu)勢(shì)方面與Si功率MOSFET技術(shù)的發(fā)展有許多相似之處。...

2024-05-16 標(biāo)簽:英飛凌MOSFET功率器件 518 0

改善GaN HEMT功率器件的短路耐受時(shí)間

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在本文中,我們將討論氮化鎵 (GaN) HEMT 功率器件中的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù),即短路耐受時(shí)間 (SCWT)。

2024-05-09 標(biāo)簽:功率器件GaNHEMT 626 0

碳化硅(SiC)功率器件市場(chǎng)的爆發(fā)與行業(yè)展望

碳化硅(SiC)功率器件市場(chǎng)的爆發(fā)與行業(yè)展望

隨著全球?qū)﹄妱?dòng)汽車接納度的逐漸提高,碳化硅(SiC)在未來的十年里將迎來全新的增長(zhǎng)機(jī)遇。預(yù)計(jì),將來功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)商和汽車行業(yè)的運(yùn)作商會(huì)更積極地參與到這...

2024-04-30 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車功率器件SiC 1137 0

SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術(shù)挑戰(zhàn)

SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術(shù)挑戰(zhàn)

碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體預(yù)計(jì)將在電力電子器件中發(fā)揮越來越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設(shè)備相比,它們具有更高的效率、功率...

2024-04-29 標(biāo)簽:功率器件SiCGaN 995 0

Tanner L-Edit在功率器件設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

Tanner L-Edit在功率器件設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

像GaN、SiC,、第三代半導(dǎo)體、車用功率器件等功率器件是處理高電壓、大電流的半導(dǎo)體分立器件,常用在電子電力系統(tǒng)中進(jìn)行變壓、變頻、變流及功率管理等。功率...

2024-04-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電力系統(tǒng)功率器件 724 0

碳化硅功率器件:高效能源轉(zhuǎn)換的未來

碳化硅功率器件:高效能源轉(zhuǎn)換的未來

在現(xiàn)代電子行業(yè),隨著能源效率要求的不斷提高和高溫、高頻、高壓應(yīng)用的增多,傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件正逐漸顯露出性能上的局限性。

2024-04-29 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車功率器件SiC 636 0

功率PCB設(shè)計(jì)要點(diǎn)詳細(xì)整理

功率PCB設(shè)計(jì)要點(diǎn)詳細(xì)整理

功率器件在工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量熱量,因此熱管理是功率PCB設(shè)計(jì)的首要任務(wù)。 散熱設(shè)計(jì):設(shè)計(jì)合適的散熱結(jié)構(gòu),如散熱片、熱導(dǎo)管等,以提高熱量的傳導(dǎo)效率。 ...

2024-04-29 標(biāo)簽:pcb電磁兼容性功率器件 877 0

Tanner L-Edit在功率器件設(shè)計(jì)中的應(yīng)用有哪些呢?

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像GaN、SiC,、第三代半導(dǎo)體、車用功率器件等功率器件是處理高電壓、大電流的半導(dǎo)體分立器件,常用在電子電力系統(tǒng)中進(jìn)行變壓、變頻、變流及功率管理等。

2024-04-28 標(biāo)簽:CMOS晶圓大電流 652 0

功率循環(huán)對(duì)IGBT 壽命的影響——準(zhǔn)確估算功率器件的壽命

功率循環(huán)對(duì)IGBT 壽命的影響——準(zhǔn)確估算功率器件的壽命

內(nèi)容摘要供應(yīng)商們正在努力提高絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、Si和SiCMOSFET以及其他功率器件的最大功率水平和電流負(fù)載能力,并同時(shí)保持高質(zhì)量a和可靠...

2024-04-26 標(biāo)簽:功率器件IGBTS功率循環(huán)測(cè)試 1092 0

碳化硅功率器件:革新電力電子的未來龍頭

在當(dāng)今追求高效能、高耐用性的電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件憑借其卓越性能,成為了領(lǐng)域內(nèi)的明星產(chǎn)品,它的出現(xiàn)預(yù)示著一次技術(shù)革命的悄然到來。

2024-04-26 標(biāo)簽:逆變器功率器件SiC 582 0

功率循環(huán)對(duì)IGBT壽命有何影響?如何準(zhǔn)確估算功率器件的壽命呢?

功率循環(huán)對(duì)IGBT壽命有何影響?如何準(zhǔn)確估算功率器件的壽命呢?

運(yùn)行過程中產(chǎn)生的高結(jié)溫和高溫度梯度會(huì)引起機(jī)械應(yīng)力,尤其是在具有不同熱膨脹系數(shù)的材料之間的接觸面上,這可能導(dǎo)致這些器件性能退化甚至完全失效。

2024-04-24 標(biāo)簽:二極管IGBT功率器件 1082 0

晶體管級(jí)異質(zhì)集成技術(shù)及其實(shí)用案例分析

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化合物半導(dǎo)體微波器件的典型特點(diǎn)是不同結(jié)型器件性能差異明顯,表1給出了幾種常用的化合物半導(dǎo)體微波器件與Si CMOS性能對(duì)比,另外化合物半導(dǎo)體還擁有GaA...

2024-04-24 標(biāo)簽:集成電路二極管晶體管 939 0

功率器件環(huán)境可靠性測(cè)試的加速老化物理模型

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高溫柵偏(HighTemperatureGateBias,HTGB)、高溫反偏(HighTemperatureReverseBias,HTRB)、高溫高...

2024-04-23 標(biāo)簽:功率器件可靠性測(cè)試半導(dǎo)體服務(wù) 1090 0

如何利用 GaN 功率器件實(shí)現(xiàn)出色的中等功率電機(jī)變頻器

如何利用 GaN 功率器件實(shí)現(xiàn)出色的中等功率電機(jī)變頻器

作者:Bill Schweber 對(duì)更高效利用能源的推動(dòng)、更嚴(yán)格的法規(guī)要求以及低溫運(yùn)行的技術(shù)優(yōu)勢(shì),所有這些都為近來降低電機(jī)功耗的舉措提供了支持。雖然硅 ...

2024-05-05 標(biāo)簽:變頻器電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率器件 435 0

SiC器件的工作原理與主要優(yōu)勢(shì)!

SiC器件的工作原理與主要優(yōu)勢(shì)!

在追求能源效率和對(duì)高性能電力電子系統(tǒng)的需求不斷增長(zhǎng)的今天,碳化硅(SiC)功率器件憑借其卓越的電氣性能和熱穩(wěn)定性,正在變革傳統(tǒng)功率電子技術(shù)。

2024-04-18 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車功率器件SiC 1021 0

碳化硅(SiC)功率器件探討:未來的能源解決方案

碳化硅(SiC)功率器件探討:未來的能源解決方案

隨著全球?qū)Ω咝?、更可持續(xù)能源解決方案的需求不斷增加,碳化硅(SiC)功率器件因其卓越的物理和電氣特性而成為電力電子領(lǐng)域的一個(gè)重要進(jìn)展。

2024-04-15 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻功率器件SiC 626 0

深入探討碳化硅功率器件優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用

深入探討碳化硅功率器件優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用

碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,具有比硅(Si)更優(yōu)越的物理和化學(xué)特性,包括更高的臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更大的熱導(dǎo)率、更高的工作溫度和更快的開關(guān)速度。

2024-04-12 標(biāo)簽:變壓器電感器功率器件 475 0

碳化硅(SiC)功率器件特性及應(yīng)用

碳化硅(SiC)功率器件特性及應(yīng)用

碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,相比于傳統(tǒng)的硅材料,具有更高的熱導(dǎo)率、更大的電場(chǎng)擊穿強(qiáng)度和更高的載流子遷移率等特點(diǎn)。

2024-04-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車功率器件SiC 1207 0

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    工業(yè)4.0是由德國(guó)政府《德國(guó)2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來項(xiàng)目之一。該項(xiàng)目由德國(guó)聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助,投資預(yù)計(jì)達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平,建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠,在商業(yè)流程及價(jià)值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題

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BLDC PLC 碳化硅 二極管 OpenAI 元宇宙 安森美 ADI
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伺服電機(jī) SVPWM 光伏發(fā)電 UPS AR 智能電網(wǎng) 國(guó)民技術(shù) Microchip
瑞薩 沁恒股份 全志 國(guó)民技術(shù) 瑞芯微 兆易創(chuàng)新 芯??萍?/a> Altium
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Samsung 風(fēng)華高科 WINBOND 長(zhǎng)晶科技 晶導(dǎo)微電子 上海貝嶺 KOA Echelon
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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
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