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      標(biāo)簽　>　場(chǎng)效應(yīng)晶體管

      場(chǎng)效應(yīng)晶體管

      +關(guān)注6人關(guān)注

      場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)（FET））簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。

      文章：301個(gè) 瀏覽：19457次 帖子：22個(gè)

      場(chǎng)效應(yīng)晶體管資訊

      如何判斷MOS管是否損壞

      MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是電子電路中常用的一種功率放大器件，因其體積小、功耗低、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而，由于其...

      2024-11-05 標(biāo)簽：MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管電子電路 179 0

      常見(jiàn)MOS管型號(hào)及參數(shù)

      MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，簡(jiǎn)稱MOSF...

      2024-11-05 標(biāo)簽：MOS管參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 467 0

      MOS管的特點(diǎn)與應(yīng)用

      MOS管，全稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一...

      2024-11-05 標(biāo)簽：MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管金屬 165 0

      2D多鰭FETs的高密度集成，搭臺(tái)引導(dǎo)外延的科技突破！

      2D多鰭FETs的高密度集成，搭臺(tái)引導(dǎo)外延的科技突破！

      來(lái)源：科學(xué)之邦 【研究背景】 隨著摩爾定律的推進(jìn)，傳統(tǒng)基于三維半導(dǎo)體的場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FETs）不斷縮小，這導(dǎo)致了設(shè)備性能的提升和晶體管密度的增加。然而，...

      2024-09-03 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管半導(dǎo)體材料 221 0

      英飛凌IPD50N10S3L-16：高達(dá)180A電流的功率晶體管中文資料書(shū)

      英飛凌IPD50N10S3L-16：高達(dá)180A電流的功率晶體管中文資料書(shū)

      概述： 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種金屬氧化物硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管，工作電壓最高達(dá)到1kV（SiC：2kV），具有高開(kāi)關(guān)速度和最佳效率。 這項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)在消費(fèi)電...

      2024-08-12 標(biāo)簽：英飛凌MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 232 0

      美國(guó)或?qū)⑦M(jìn)一步收緊技術(shù)對(duì)華出口

      據(jù)百能云芯電.子元器.件商.城了解，美國(guó)政府正考慮深化對(duì)華出口管制措施，旨在阻礙中國(guó)獲取先進(jìn)的全柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GAA）技術(shù)及高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）技術(shù)...

      2024-06-12 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管HBMGAA 201 0

      微電子所在《中國(guó)科學(xué)：國(guó)家科學(xué)評(píng)論》發(fā)表關(guān)于先進(jìn)CMOS集成電路新結(jié)構(gòu)晶體管的綜述論文

      微電子所在《中國(guó)科學(xué)：國(guó)家科學(xué)評(píng)論》發(fā)表關(guān)于先進(jìn)CMOS集成電路新結(jié)構(gòu)晶體管的綜述論文

      來(lái)源：中國(guó)科學(xué)院微電子研究所 金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）是推動(dòng)大規(guī)模CMOS集成電路按照“摩爾定律”持續(xù)微縮并不斷發(fā)展的核心器件。...

      2024-05-31 標(biāo)簽：晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管微電子 387 0

      利用碲化汞（HgTe）膠體量子點(diǎn)實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)達(dá)18 μm的光探測(cè)

      利用碲化汞（HgTe）膠體量子點(diǎn)實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)達(dá)18 μm的光探測(cè)

      膠體量子點(diǎn)（CQD）憑借其具有高通量溶液加工能力以及紫外（UV）到紅外（IR）波段的寬帶隙可調(diào)諧性，因而在光電子器件中備受關(guān)注。

      2024-04-23 標(biāo)簽：FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管光電子器件 1167 0

      安建半導(dǎo)體獲超2億元C1輪融資

      安建半導(dǎo)體是一家專注于半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷售的公司，主要產(chǎn)品包括高性能溝槽柵場(chǎng)截止型絕緣柵雙極性晶體管、屏蔽柵溝槽型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、高壓場(chǎng)效應(yīng)晶...

      2024-04-18 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率器件安建半導(dǎo)體 488 0

      三菱電機(jī)出席第十七屆中國(guó)高校電力電子與電力傳動(dòng)學(xué)術(shù)年會(huì)

      三菱電機(jī)出席第十七屆中國(guó)高校電力電子與電力傳動(dòng)學(xué)術(shù)年會(huì)

      4月12日至14日，第十七屆中國(guó)高校電力電子與電力傳動(dòng)學(xué)術(shù)年會(huì)在安徽宣城隆重舉辦，本屆會(huì)議由中國(guó)高校電力電子與電力傳動(dòng)學(xué)術(shù)年會(huì)組織委員會(huì)主辦，合肥工業(yè)大學(xué)承辦。

      2024-04-16 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車MOSFET三菱電機(jī) 428 0

      利用連續(xù)滴定工藝制備一種高品質(zhì)HgTe量子點(diǎn)短波紅外探測(cè)器

      利用連續(xù)滴定工藝制備一種高品質(zhì)HgTe量子點(diǎn)短波紅外探測(cè)器

      碲化汞（HgTe）納米晶體具有可調(diào)諧紅外吸收光譜、溶液可加工性、低制造成本以及易與硅基電路集成等特點(diǎn)。

      2024-04-07 標(biāo)簽：FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管紅外探測(cè)器 557 0

      AO8810 TSSOP-8 共漏雙n通道增強(qiáng)模場(chǎng)效應(yīng)晶體管

      AO8810 TSSOP-8 共漏雙n通道增強(qiáng)模場(chǎng)效應(yīng)晶體管

      概述 AO8810/L采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS(ON)、低柵極電荷和柵極電壓低至1.8V的操作。該設(shè)備適用于作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或在PWM應(yīng)用程序中...

      2024-03-22 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管 352 0

      2家臺(tái)灣企業(yè)正在加速推進(jìn)其SiC模塊工廠的建設(shè)

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      近期，2家臺(tái)灣企業(yè)正在加速推進(jìn)其SiC模塊工廠的建設(shè)

      2024-03-18 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率模塊 1021 0

      一種集成低功耗pH傳感器的離子敏感場(chǎng)效應(yīng)晶體管（ISFET）

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      據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，德國(guó)弗勞恩霍夫光子微系統(tǒng)研究所（Fraunhofer IPMS）開(kāi)發(fā)出一種用于芯片式pH值測(cè)量的傳感層，并成功將其集成到離子敏感場(chǎng)效應(yīng)...

      2024-03-11 標(biāo)簽：傳感器半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1064 0

      運(yùn)算放大器參數(shù)選型

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      原文來(lái)自：泉城嵌入式 運(yùn)算放大器（IntegratedOperational Amplifier）簡(jiǎn)稱集成運(yùn)放，是一種高電壓增益、高輸入電阻和低輸出電阻...

      2024-03-27 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1099 0

      三星半導(dǎo)體將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”！

      近期，科技巨頭三星半導(dǎo)體做出了一個(gè)引人注目的決策：將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。

      2024-03-06 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管三星半導(dǎo)體人工智能芯片 1023 0

      王中林院士團(tuán)隊(duì)，石墨烯器件新突破！

      王中林院士團(tuán)隊(duì)，石墨烯器件新突破！

      傳統(tǒng)半導(dǎo)體集成電路的發(fā)展面臨著尺寸持續(xù)縮小的技術(shù)瓶頸，新興的石墨烯等二維材料基于其納米級(jí)厚度和極高的載流子遷移率一直備受關(guān)注。

      2024-03-01 標(biāo)簽：人機(jī)交互物聯(lián)網(wǎng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 696 0

      有消息稱蘋(píng)果公司已悄然啟動(dòng)基于臺(tái)積電2nm工藝的芯片設(shè)計(jì)工作

      有消息稱蘋(píng)果公司已悄然啟動(dòng)基于臺(tái)積電2nm工藝的芯片設(shè)計(jì)工作

      作為臺(tái)積電最大的客戶，蘋(píng)果通常是第一個(gè)獲得其新芯片的公司。

      2024-03-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體iPhone芯片設(shè)計(jì) 575 0

      薩科微推出SL40T120FL系列IGBT單管和CMOS運(yùn)算放大器SLA333等產(chǎn)品

      薩科微推出SL40T120FL系列IGBT單管和CMOS運(yùn)算放大器SLA333等產(chǎn)品

      深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司一直研究新材料新工藝，不斷推出新產(chǎn)品，驅(qū)動(dòng)公司不斷發(fā)展。

      2024-02-28 標(biāo)簽：CMOSMOSFET運(yùn)算放大器 619 0

      IGBT和MOSFET在對(duì)飽和區(qū)的定義差別

      IGBT和MOSFET在對(duì)飽和區(qū)的定義差別? IGBT和MOSFET是傳輸電力和控制電流的重要電子器件。它們?cè)谠S多電力電子應(yīng)用中起著關(guān)鍵的作用。飽和區(qū)是...

      2024-02-18 標(biāo)簽：MOSFETIGBT場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1863 0

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      • Arduino
        Arduino
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        Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
      • 28nm
        28nm
        +關(guān)注
        從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
      • FinFET
        FinFET
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        FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
      • 20nm
        20nm
        +關(guān)注
      • TI公司
        TI公司
        +關(guān)注
        TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè)，我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
      • 村田
        村田
        +關(guān)注
        村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
      • 羅姆
        羅姆
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        +關(guān)注
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      • 研華
        研華
        +關(guān)注
      • 32位單片機(jī)
        32位單片機(jī)
        +關(guān)注
        ARM，其中ARM7，9，10是公開(kāi)的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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        Cortex-A
        +關(guān)注
        　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
      • Mobileye
        Mobileye
        +關(guān)注
        Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS） 的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告 （LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告 （FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制 （IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別 （TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制 （ACC） 等。
      • CC2541
        CC2541
        +關(guān)注
        CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC） 解決方案。
      • G3-PLC
        G3-PLC
        +關(guān)注
      • 超級(jí)本
        超級(jí)本
        +關(guān)注
        超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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