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標簽 > 存儲器
存儲器(Memory)是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。其概念很廣,有很多層次,在數(shù)字系統(tǒng)中,只要能保存二進制數(shù)據(jù)的都可以是存儲器;在集成電路中,一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器,如RAM、FIFO等;在系統(tǒng)中,具有實物形式的存儲設(shè)備也叫存儲器,如內(nèi)存條、TF卡等。計算機中全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。
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SK海力士發(fā)布NAND閃存解決方案,助力端側(cè)AI手機發(fā)展
SK海力士指出,“ZUFS 4.0是新一代移動端NAND閃存解決方案,具備行業(yè)內(nèi)最高性能且專門針對端側(cè)AI手機進行優(yōu)化?!贝送猓具€強調(diào),“借助此產(chǎn)品...
環(huán)球晶預(yù)估今年業(yè)績與去年持平,夏季影響及庫存消化拖累
環(huán)球晶近期舉行了法說會,徐秀蘭在此次會議上公布了上述信息。該公司自2021年起連續(xù)三年保持增長,但徐秀蘭預(yù)計今年業(yè)績將與去年持平,結(jié)束這一增長態(tài)勢。
近日,有消息稱三星電子與超微(AMD)在高帶寬存儲器(HBM)等領(lǐng)域的合作正隨著AI半導(dǎo)體市場的蓬勃發(fā)展而日益深化。然而,業(yè)界也傳出新的動向,據(jù)臺灣電子...
UCT首季營收超預(yù)期,下半年業(yè)績穩(wěn)健可期
財報顯示,公司第一季度實現(xiàn)總收入4.777億美元,其中產(chǎn)品銷售額高達4.185億美元,服務(wù)銷售額為5920萬美元;毛利率達到17.3%,營業(yè)利潤率為3....
耐600℃高溫存儲器問世,有助于開發(fā)極端環(huán)境下的應(yīng)用
電子發(fā)燒友網(wǎng)(文/吳子鵬)近日,美國賓夕法尼亞大學(xué)科學(xué)家研制出一款可在600℃高溫下持續(xù)工作60小時的存儲器。據(jù)悉,目前市場上主流的存儲器耐溫極限是20...
全志科技與佰維存儲簽署聯(lián)合實驗室合作協(xié)議
近日,珠海全志科技股份有限公司與深圳佰維存儲科技股份有限公司在深圳佰維總部正式簽署聯(lián)合實驗室合作協(xié)議。此次合作旨在加強SoC平臺與存儲器之間的適配和測試...
Cadence與臺積電深化合作創(chuàng)新,以推動系統(tǒng)和半導(dǎo)體設(shè)計轉(zhuǎn)型
楷登電子(美國 Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)與臺積電(TSMC)深化了雙方的長期合作,官宣了一系列旨在加速設(shè)計的創(chuàng)新技術(shù)進展,包括從 ...
江波龍國際合規(guī)成果顯著,Lexar美國業(yè)務(wù)解約
江波龍強調(diào),此次重大突破不僅使Lexar(雷克沙)的業(yè)務(wù)運作更具靈活性,產(chǎn)品與服務(wù)更具效率與創(chuàng)新力,以更好地滿足消費者需求,提升用戶體驗。同時,這也彰顯...
華潤微2023年業(yè)績穩(wěn)定 繼續(xù)加大研發(fā)投入 布局新能源汽車市場
業(yè)界專業(yè)人士認為,鑒于存儲器市場在去年第四季度內(nèi)存價格回升,業(yè)績略顯反彈,這是一個期待中的復(fù)蘇跡象。雖然這種局部的改善并未充分體現(xiàn)在財報層面,但是隨著市...
2024-04-26 標簽:存儲器汽車行業(yè)半導(dǎo)體行業(yè) 438 0
韓國創(chuàng)新型相變存儲器結(jié)合DRAM和NAND優(yōu)點
然而,盡管PCM技術(shù)兼具速度與非易失性兩個優(yōu)點,但由于制造工藝復(fù)雜且成本較高,同時還需消耗大量能量將相變材料加熱至非晶態(tài),導(dǎo)致生產(chǎn)過程耗電量巨大。
微軟運用深度學(xué)習(xí)技術(shù)構(gòu)建多模態(tài)3D肖像模型,成就逼真虛擬肖像
此項專利名為《多模態(tài)三維面部建模及追蹤,制作栩栩如生的虛擬肖像》。其系統(tǒng)包括處理器和存儲器系統(tǒng),前者負責(zé)收集初始數(shù)據(jù)(即面部初始模樣)以及多元數(shù)據(jù)信號(...
2024-04-24 標簽:微軟存儲器深度學(xué)習(xí) 283 0
Rambus推GDDR7內(nèi)存控制器IP滿足AI應(yīng)用需求
據(jù)報道,該公司的 GDDR7 控制器采用 PAM3 信號,運行速度高達 40 Gbps,能為 GDDR7 存儲器設(shè)備提供 160 GB/s 的吞吐量,相...
這項專利技術(shù)主要包括四個步驟:首先,確定存儲器電參數(shù)的調(diào)整范圍;其次,進行晶圓測試獲取實際測量的電參數(shù);接著,將這些數(shù)據(jù)記錄在日志文件中;最后,對日志文...
弘宇二代大容量NOR Flash進入流片,助推智能化設(shè)
據(jù)供應(yīng)鏈透露,中天弘宇的新產(chǎn)品將采用28nm制程,單個顆粒的設(shè)計存儲容量將達至2GB以上,相較之下,業(yè)界現(xiàn)行最高水平只有512MB。這標志著該公司是否能...
SK海力士聯(lián)手臺積電推出HBM4,引領(lǐng)下一代DRAM創(chuàng)新
SK海力士表示,憑借其在AI應(yīng)用領(lǐng)域存儲器發(fā)展的領(lǐng)先地位,以及與臺積電在全球頂尖邏輯代工領(lǐng)域的深厚合作基礎(chǔ),該公司有信心持續(xù)引領(lǐng)HBM技術(shù)創(chuàng)新。通過整合...
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