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標(biāo)簽 > 寬帶隙半導(dǎo)體
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WBG 器件給柵極驅(qū)動(dòng)器電源帶來(lái)的挑戰(zhàn)
碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 器件的柵極驅(qū)動(dòng)器電源必須滿足這些寬帶隙半導(dǎo)體的獨(dú)特偏置要求。本文將討論在 SiC 和 GaN 應(yīng)用中設(shè)計(jì)柵極驅(qū)...
2024-09-27 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器SiCGaN 724 0
在基于寬帶隙半導(dǎo)體(例如GaN和SiC器件)的高效經(jīng)濟(jì)型功率轉(zhuǎn)換技術(shù)發(fā)展的推動(dòng)下,許多應(yīng)用現(xiàn)在都看到了轉(zhuǎn)換為直流電能的好處。因此,精確的直流電能計(jì)量變得...
2024-08-21 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體電能計(jì)量 1337 0
作者:Rolf Horn 投稿人:DigiKey 北美編輯 整個(gè)交通運(yùn)輸行業(yè)正在經(jīng)歷一場(chǎng)徹底的變革,內(nèi)燃機(jī) (ICE) 汽車逐漸讓位于污染更少的電動(dòng)汽車...
功率逆變器應(yīng)用采用寬帶隙半導(dǎo)體器件時(shí),柵極電阻選型注意事項(xiàng)
本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開(kāi)關(guān)的優(yōu)勢(shì),以及如何權(quán)衡利弊。主要權(quán)衡因素之一是開(kāi)關(guān)損耗,開(kāi)關(guān)損耗會(huì)被...
功率逆變器應(yīng)用采用寬帶隙半導(dǎo)體器件時(shí)柵極電阻選型注意事項(xiàng)
功率逆變器應(yīng)用采用寬帶隙半導(dǎo)體器件時(shí)柵極電阻選型注意事項(xiàng)
2023-11-23 標(biāo)簽:柵極電阻半導(dǎo)體器件功率逆變器 573 0
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開(kāi)關(guān)的優(yōu)勢(shì)
設(shè)計(jì)出色功效的電子應(yīng)用時(shí),需要考慮使用新型高性能氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)技術(shù)的器件。與電子開(kāi)關(guān)使用的傳統(tǒng)硅解決方案相比,這些新型寬帶隙技術(shù)具有...
2023-10-12 標(biāo)簽:SiC氮化鎵電子開(kāi)關(guān) 2303 1
利用寬帶隙半導(dǎo)體和數(shù)字控制設(shè)計(jì)更有效的功率因數(shù)校正電路
作者:Jeff Shepard 為了最大限度地提高交流市電供電設(shè)備(包括 AC/DC 電源、電池充電器、基于電池的儲(chǔ)能系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和不間斷電源)的效...
2023-10-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率因數(shù)電源轉(zhuǎn)換器 980 0
寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開(kāi)關(guān)的優(yōu)勢(shì)
本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開(kāi)關(guān)的優(yōu)勢(shì),以及如何權(quán)衡利弊。主要權(quán)衡因素之一是開(kāi)關(guān)損耗,開(kāi)關(guān)損耗會(huì)被...
2023-09-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC電子開(kāi)關(guān) 665 0
導(dǎo)入寬帶隙半導(dǎo)體 滿足高瓦數(shù)電源供應(yīng)需求
益登科技 300W 電源解決方案采用以 SiC/GaN 為材料的 MOSFET 和肖特基勢(shì)壘二極管,以降低開(kāi)關(guān)損耗和恢復(fù)損耗,搭配 PFC 和 LLC ...
2023-06-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件數(shù)字控制器 411 0
寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用和發(fā)展
寬帶隙半導(dǎo)體是一種具有寬帶隙的半導(dǎo)體材料,其特性是具有較寬的能帶隙,可以吸收和發(fā)射更多的光子,從而提高半導(dǎo)體器件的效率。它廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能電池、激光...
使用寬帶隙半導(dǎo)體和數(shù)字控制設(shè)計(jì)更有效的功率因數(shù)校正立即下載
類別:電子資料 2022-11-24 標(biāo)簽:應(yīng)用筆記得捷寬帶隙半導(dǎo)體 115 0
Nexperia斥資2億美元加速漢堡工廠寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體研發(fā)與生產(chǎn)
全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia今日宣布將投入高達(dá)2億美元(折合約1.84億歐元)的資金,以顯著擴(kuò)大其位于德國(guó)漢堡工廠的寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體研究...
2024-07-15 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體寬帶隙半導(dǎo)體 303 0
寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體助力可持續(xù)電動(dòng)汽車電源轉(zhuǎn)換,頂部冷卻(TSC)技術(shù)提升熱性能
現(xiàn)如今,全球移動(dòng)出行領(lǐng)域正處于一個(gè)重大轉(zhuǎn)變之中,電動(dòng)汽車(EV)銷量激增,各國(guó)政府和消費(fèi)者也在努力低碳出行減輕氣候變化的影響,預(yù)計(jì)到2030年,電動(dòng)汽車...
2024-06-27 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車電源SiC 513 0
新的寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)提高了功率轉(zhuǎn)換效率
新的寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)提高了功率轉(zhuǎn)換效率
2023-11-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率轉(zhuǎn)換寬帶隙半導(dǎo)體 461 0
如何賦能新一代寬帶隙半導(dǎo)體?這三類隔離柵極驅(qū)動(dòng)器了解一下~
在電力電子領(lǐng)域,為了最大限度地降低開(kāi)關(guān)損耗,通常希望開(kāi)關(guān)時(shí)間短。然而快速開(kāi)關(guān)同時(shí)隱藏了高壓瞬變的危險(xiǎn),這可能會(huì)影響甚至損壞處理器邏輯。因此,必須設(shè)計(jì)更高...
2023-11-17 標(biāo)簽:亞德諾寬帶隙半導(dǎo)體 613 0
為什么說(shuō)這兩種寬帶隙半導(dǎo)體將成為數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)的新寵?
數(shù)據(jù)中心在日益數(shù)字化、互聯(lián)化和虛擬化的世界中發(fā)揮著關(guān)鍵和重要的作用。由于數(shù)據(jù)中心有巨大的能源需求,因此需要能夠減少電力損失、提高效率和加強(qiáng)熱控制的電源解...
2023-10-04 標(biāo)簽:得捷電子寬帶隙半導(dǎo)體 477 0
在航天和衛(wèi)星動(dòng)力系統(tǒng)中使用寬帶隙半導(dǎo)體要克服三個(gè)關(guān)鍵的挑戰(zhàn)
寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體在電源轉(zhuǎn)換方面具備幾個(gè)優(yōu)勢(shì),如功率密度和效率更高,同時(shí)可通過(guò)允許使用更小無(wú)源元器件的高頻開(kāi)關(guān),減少系統(tǒng)尺寸和重量。這些優(yōu)勢(shì)在航...
2023-09-20 標(biāo)簽:得捷電子寬帶隙半導(dǎo)體 480 0
? ? ? ?寬帶隙半導(dǎo)體可實(shí)現(xiàn)高壓(10kv及以上)開(kāi)關(guān)。因此,需要新的封裝解決方案來(lái)為此類設(shè)備奠定的基礎(chǔ)。金屬化陶瓷基板是一種眾所周知且成熟的技術(shù),...
2022-09-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體封裝陶瓷基板寬帶隙半導(dǎo)體 615 0
自硅問(wèn)世以來(lái),寬帶隙半導(dǎo)體,如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC),已被證明是電力電子領(lǐng)域最有前途的材料。與傳統(tǒng)的硅基技術(shù)相比,這些材料具有多個(gè)優(yōu)勢(shì)...
2022-08-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體GaN寬帶隙半導(dǎo)體 1388 0
效率是所有工業(yè)部門(mén)的驅(qū)動(dòng)力,包括消費(fèi)部門(mén)。在電子系統(tǒng)中,效率會(huì)導(dǎo)致性能限制以及使用壽命縮短。然而,更高的效率推動(dòng)行業(yè)朝著更高的功率密度發(fā)展,并有可能擁有...
2022-08-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件寬帶隙半導(dǎo)體 697 0
在電力電子領(lǐng)域,硅在過(guò)去的 40 年中已成為主流技術(shù);今天,硅功率晶體管和二極管是如此普遍和普遍,以這種材料為基礎(chǔ)的設(shè)備在我們的生活中無(wú)處不在。這種采用...
2022-08-05 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體 861 0
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