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標(biāo)簽 > 寄生二極管
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MOS管的話(huà)題雖說(shuō)是老生常談,但這份資料幾年前就有人給我分享過(guò),這是網(wǎng)上評(píng)價(jià)非常高的一篇關(guān)于MOS管電路工作原理的講解,從管腳的識(shí)別,到極性的分辨,再到...
使用二級(jí)管,導(dǎo)通時(shí)會(huì)有壓降,會(huì)損失一些電壓。而使用MOS管做隔離,在正向?qū)〞r(shí),在控制極加合適的電壓,可以讓MOS管飽和導(dǎo)通,這樣通過(guò)電流時(shí)幾乎不產(chǎn)生壓降。
場(chǎng)效應(yīng)管怎么區(qū)分n溝道p溝道(MOS管導(dǎo)通條件)
按材料分可分為結(jié)型管和絕緣柵型管,絕緣柵型又分為耗盡型和增強(qiáng)型,一般主板上大多是絕緣柵型管簡(jiǎn)稱(chēng)MOS管,并且大多采用增強(qiáng)型的N溝道,其次是增強(qiáng)型的P溝道...
2024-03-06 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管開(kāi)關(guān)器件 6207 0
氮化鎵MOS管(GaN MOSFET)是一種基于氮化鎵材料的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管。它結(jié)合了氮化鎵的高電子遷移率和MOS管的優(yōu)良特性,具有高速開(kāi)關(guān)速度...
這里,我們只關(guān)注IGBT芯片自身的短路,不考慮合封器件中并聯(lián)的二極管或者是RC-IGBT的寄生二極管。
2023-12-05 標(biāo)簽:IGBT漏電流驅(qū)動(dòng)電阻 8085 0
早期工藝都是使用單個(gè)反偏二極管作為ESD防護(hù)器件。但是這種設(shè)計(jì)方法只適用于大線(xiàn)寬工藝。隨著工藝的進(jìn)步,現(xiàn)階段的ESD防護(hù)策略已經(jīng)不建議二極管反偏擊穿泄放...
Lg越大,P-WeLL的長(zhǎng)度越大,P-WeLL的阱電阻越大,面對(duì)ESD的過(guò)沖電壓越高,開(kāi)啟電阻Ron也隨之增大。同時(shí)載流子的穿透深度越大,其壽命越長(zhǎng),從...
2023-12-04 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻二極管ESD 2247 0
DAC1218和DAC121912位二進(jìn)制4象限乘法DA轉(zhuǎn)換器的詳細(xì)資料概述立即下載
類(lèi)別:單片機(jī) 2018-05-16 標(biāo)簽:電阻器DA轉(zhuǎn)換器寄生二極管 1729 0
英飛凌推出適用于電池供電應(yīng)用的160V雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器IC
英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)宣布其適用于汽車(chē)和工業(yè)電機(jī)控制應(yīng)用的MOTIX?系列再添新成員。
2023-12-25 標(biāo)簽:英飛凌電機(jī)控制驅(qū)動(dòng)器IC 685 0
寄生二極管的方向如何判定? 寄生二極管是指在晶體管的基極和發(fā)射極之間,由于材料特性或設(shè)計(jì)上的原因,相當(dāng)于一個(gè)二極管存在。所謂寄生二極管方向的判斷,就是要...
2023-11-30 標(biāo)簽:寄生二極管 1031 0
深度詳解MOS管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
MOS 管作為半導(dǎo)體領(lǐng)域最基礎(chǔ)的器件之一,無(wú)論是在IC 設(shè)計(jì)里,還是板級(jí)電路應(yīng)用上,都十分廣泛。
一般主板上使用最多的是增強(qiáng)型的 MOS 管,NMOS 最多,一般用在信號(hào)控制方面;其次是 PMOS,PMOS 用在電源開(kāi)關(guān)等方面,耗盡型幾乎不用。
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