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      標(biāo)簽　>　寄生二極管

      寄生二極管

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      寄生二極管技術(shù)

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      2024-04-22 標(biāo)簽：MOS管MOS寄生二極管 450 0

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      2024-04-08 標(biāo)簽：二極管MOS管適配器 1635 0

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      2024-03-06 標(biāo)簽：場效應(yīng)管MOS管開關(guān)器件 6253 0

      氮化鎵MOS管有寄生二極管嗎

      氮化鎵MOS管（GaN MOSFET）是一種基于氮化鎵材料的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管。它結(jié)合了氮化鎵的高電子遷移率和MOS管的優(yōu)良特性，具有高速開關(guān)速度...

      2024-01-10 標(biāo)簽：MOS管氮化鎵金屬 1437 0

      IGBT芯片自身的短路分析

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      這里，我們只關(guān)注IGBT芯片自身的短路，不考慮合封器件中并聯(lián)的二極管或者是RC-IGBT的寄生二極管。

      2023-12-05 標(biāo)簽：IGBT漏電流驅(qū)動電阻 8152 0

      二極管器件在ESD防護(hù)中的作用

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      早期工藝都是使用單個反偏二極管作為ESD防護(hù)器件。但是這種設(shè)計方法只適用于大線寬工藝。隨著工藝的進(jìn)步，現(xiàn)階段的ESD防護(hù)策略已經(jīng)不建議二極管反偏擊穿泄放...

      2023-12-04 標(biāo)簽：二極管ESDldo 2779 0

      一文詳解二極管在ESD防護(hù)中的應(yīng)用

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      Lg越大，P-WeLL的長度越大，P-WeLL的阱電阻越大，面對ESD的過沖電壓越高，開啟電阻Ron也隨之增大。同時載流子的穿透深度越大，其壽命越長，從...

      2023-12-04 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻二極管ESD 2260 0

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      在“IGBT中的若干PN結(jié)”一章中我們提到，IGBT是由BJT（雙極型晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管）所構(gòu)成

      2023-11-29 標(biāo)簽：MOSFETIGBT晶體管 2861 0

      通過輸出MOSFET的寄生二極管進(jìn)行電流再生時的功耗

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      2023-12-15 標(biāo)簽：二極管MOSFET寄生二極管 334 0

      MOSFET漏極與源極之間的二極管有什么作用

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      在各類電路圖中，我們經(jīng)?？梢钥吹組OSFET在作開關(guān)時，其漏極和源極之間有一個寄生二極管，如圖1所示。那么這個二極管是用來做什么的？

      2023-11-14 標(biāo)簽：二極管MOSFETMOS管 3385 0

      分享一種用萬用表去檢測MOS管好壞的方法

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      今天給大家說一個很實用的小技能，用萬用表去檢測MOS管好壞的方法，這里以N溝道增強型場效應(yīng)管（N MOS管）為例給大家說一下

      2023-11-13 標(biāo)簽：萬用表場效應(yīng)管MOS管 1935 0

      BUCK電路開關(guān)波形分析

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      在測試BUCK的開關(guān)波形時,經(jīng)?？吹讲煌酒ㄐ尾灰粯?比如有的上管導(dǎo)通前有下沖,導(dǎo)通后有過沖,斷開后有下沖,有的除了有過沖外,還有振蕩的情況,比如下圖...

      2023-11-03 標(biāo)簽：原理圖示波器NMOS 6442 0

      如何利用N-MOSFET進(jìn)行電源防反接保護(hù)電路設(shè)計？

      如何利用N-MOSFET進(jìn)行電源防反接保護(hù)電路設(shè)計？

      眾所周知，我們使用的大部分電子元件都是直流環(huán)境且電源正接下工作的，但是一旦電源出現(xiàn)反接的情況就有可能損壞電子元件，使其不能正常工作。

      2023-09-17 標(biāo)簽：MOSFET晶體管場效應(yīng)晶體管 2261 0

      電源防反電路的四種電路設(shè)計方案

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      上電瞬間，MOS管的寄生二極管導(dǎo)通，系統(tǒng)形成回路，源極S的電位大約是0.7V，而柵極G的電位為Vbat，MOS管的開啟電壓極為：Ugs=Vbat-Vs,...

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      如下圖所示：當(dāng)PQ27控制腳G為低電平時，PQ27截止，此時PQ26的控制腳G為高電平，PQ26導(dǎo)通。

      2023-06-27 標(biāo)簽：MOS管NMOS管PMOS管 738 0

      制造集成電路的版圖基本知識

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      在光刻膠工藝過程中，涂層曝光、顯影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下來，該涂層材料為正性光刻膠。

      2023-06-25 標(biāo)簽：集成電路CMOSMOSFET 7792 0

      MOS管寄生二極管的作用和方向判斷

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      二極管，（英語：Diode），電子元件當(dāng)中，一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過，許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管（Varicap...

      2023-06-19 標(biāo)簽：二極管原理圖MOSFET 2455 0

      MOS的寄生模型

      MOS的寄生模型

      引言：MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor）的縮...

      2023-06-16 標(biāo)簽：MOSFETMOS管場效應(yīng)晶體管 1024 0

      ESD防護(hù)電阻的妙用與失效分析

      ESD防護(hù)電阻的妙用與失效分析

      無源器件在電路中一直扮演著很重要的角色，同樣在ESD設(shè)計中也需要應(yīng)用無源器件，亦或是無源器件也同樣要承受ESD沖擊。

      2023-06-12 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻SEMNMOS管 5613 0

      MOS管基礎(chǔ)知識及應(yīng)用電路分析

      MOS管基礎(chǔ)知識及應(yīng)用電路分析

      當(dāng)電路中產(chǎn)生很大的瞬間反向電流時，可以通過這個二極管導(dǎo)出來，不至于擊穿這個MOS管，起到保護(hù)MOS管的作用。

      2023-06-03 標(biāo)簽：二極管MOS寄生二極管 2374 0

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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
        光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的，在2009年10月1日天安門廣場舉行的國慶聯(lián)歡晚會上面世。這是新中國成立六十周年國慶晚會最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
      • K60
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        +關(guān)注
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        LM2596
        +關(guān)注
        LM2596是降壓型電源管理單片集成電路的開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器，能夠輸出3A的驅(qū)動電流，同時具有很好的線性和負(fù)載調(diào)節(jié)特性。固定輸出版本有3.3V、5V、12V，可調(diào)版本可以輸出小于37V的各種電壓。
      • 光模塊
        光模塊
        +關(guān)注
        光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成，光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡單的說，光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換，發(fā)送端把電信號轉(zhuǎn)換成光信號，通過光纖傳送后，接收端再把光信號轉(zhuǎn)換成電信號。
      • STM32單片機
        STM32單片機
        +關(guān)注
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        +關(guān)注
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        OBD
        +關(guān)注
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      • SDK
        SDK
        +關(guān)注
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