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      標(biāo)簽　>　柵極

      柵極

      +關(guān)注1人關(guān)注

      柵極由金屬細(xì)絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。多極電子管中排列在陽(yáng)極和陰極之間的一個(gè)或多個(gè)具有細(xì)絲網(wǎng)或螺旋線形狀的電極，起控制陰極表面電場(chǎng)強(qiáng)度從而改變陰極發(fā)射電子或捕獲二次放射電子的作用。

      文章：125個(gè) 視頻：29個(gè) 瀏覽：20891次 帖子：6個(gè)

      柵極技術(shù)

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      MOS管的閾值電壓（Threshold Voltage）是一個(gè)至關(guān)重要的參數(shù)，它決定了MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)，對(duì)MOS...

      2024-10-29 標(biāo)簽：MOS管柵極閾值電壓 194 0

      VDMOS器件關(guān)鍵參數(shù)介紹

      VDMOS器件關(guān)鍵參數(shù)介紹

      如圖1所示，VDMOS結(jié)構(gòu)就是P型注入和N+注入后兩次擴(kuò)散形成P型區(qū)和N+型區(qū)，在硅表面P型區(qū)和N+型區(qū)之間形成溝道，在柵極加壓后溝道開(kāi)啟，電流在溝道內(nèi)...

      2024-10-08 標(biāo)簽：二極管VDMOS柵極 425 0

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      2024-09-24 標(biāo)簽：穩(wěn)壓電源五極管電極 178 0

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      結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Junction Field-Effect Transistor，簡(jiǎn)稱JFET）是一種基于場(chǎng)效應(yīng)原理工作的三端有源器件，其工作原理和特...

      2024-10-07 標(biāo)簽：JFET柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管 221 0

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      2024-09-18 標(biāo)簽：穩(wěn)壓二極管柵極源極 339 0

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      來(lái)源：C Lighting 線邊緣粗糙度(LER) 線邊緣粗糙度（LER）指的是柵極圖案邊緣的隨機(jī)變化，即印刷圖案邊緣的粗糙度。當(dāng)最小特征尺寸減小到幾十...

      2024-08-23 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體光刻 2141 0

      逆變器柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)的生成和傳輸

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      柵極資訊

      瞻芯電子兩款緊湊封裝柵極驅(qū)動(dòng)芯片量產(chǎn)

      近日，瞻芯電子傳來(lái)喜訊，其自主研發(fā)的2款極緊湊封裝的柵極驅(qū)動(dòng)芯片IVCR2404MP已成功通過(guò)可靠性認(rèn)證，并正式投入量產(chǎn)。這兩款高性能產(chǎn)品，標(biāo)志著瞻芯電...

      2024-06-22 標(biāo)簽：柵極驅(qū)動(dòng)芯片瞻芯電子 869 0

      AMEYA360：MOS管失效的六大原因

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      功率器件在近幾年的市場(chǎng)方面發(fā)展的非常火爆，尤其是 MOS 管，他主要應(yīng)用在電源適配器，電池管理系統(tǒng)以及逆變器和電機(jī)控制系統(tǒng)中。 而隨著計(jì)算器主板，AI ...

      2024-04-23 標(biāo)簽：MOS管柵極失效 715 0

      P溝道功率MOSFETs及其應(yīng)用

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      隨著現(xiàn)代低壓應(yīng)用的發(fā)展，Littelfuse P溝道功率MOSFET滿足了當(dāng)今電力電子不斷發(fā)展所需的通用功能。Littelfuse P溝道MOSFETs...

      2024-04-07 標(biāo)簽：MOSFET柵極 1368 0

      SOP8貼片SA2601矽塔單相半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片

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      SA2601是一款針對(duì)于雙NMOS的半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片，專為高壓、高速驅(qū)動(dòng)N型功率MOSFET和IGBT設(shè)計(jì)，可在高達(dá)600V電壓下工作。內(nèi)置VCC和VB...

      2024-04-01 標(biāo)簽：柵極驅(qū)動(dòng)芯片 1256 0

      功率MOS管燒毀，我們幫你總結(jié)出了這些原因

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      今天給大家講一下關(guān)于MOS管燒毀的原因，文字比較多點(diǎn)，不容易讀，希望大家可以認(rèn)真看完。 MOS 管可能會(huì)遭受與其他功率器件相同的故障，例如過(guò)電壓（半導(dǎo)體...

      2023-12-05 標(biāo)簽：MOS柵極功率MOS管 1061 0

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      橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：導(dǎo)通時(shí)

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      2023-12-05 標(biāo)簽：柵極源極功率開(kāi)關(guān)器件 400 0

      智能柵極驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)高效三相電機(jī)控制

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      電機(jī)在現(xiàn)代生活中應(yīng)用廣泛。無(wú)論是吸塵器、空氣風(fēng)扇還是電動(dòng)自行車，這些生活中的常見(jiàn)設(shè)備都需要電機(jī)來(lái)驅(qū)動(dòng)，而一個(gè)良好的電機(jī)驅(qū)動(dòng)能力是保障設(shè)備高效、穩(wěn)定運(yùn)行的...

      2023-10-13 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)器柵極 579 0

      MS31703NA：H橋柵極驅(qū)動(dòng)控制器，可替DRV8703

      MS31703NA 是一款小型單通道 H 橋柵極驅(qū)動(dòng)器。它使用四個(gè)外部 N 通道 MOSFET，驅(qū)動(dòng)一個(gè)雙向刷式直流電機(jī)。 PH/EN、獨(dú)立半橋或 PW...

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      Allegro MicroSystems推出新型隔離柵極驅(qū)動(dòng)器IC

      傳統(tǒng)柵極驅(qū)動(dòng)器的實(shí)現(xiàn)需要隔離柵極驅(qū)動(dòng)器和單獨(dú)的隔離電源，在系統(tǒng)組裝時(shí)，驅(qū)動(dòng)器、電源和FET之間的連接可能會(huì)帶來(lái)不必要的噪聲，并產(chǎn)生電磁干擾（EMI），從...

      2023-07-13 標(biāo)簽：電磁干擾柵極柵極驅(qū)動(dòng)器 612 0

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      柵極數(shù)據(jù)手冊(cè)

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        　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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        　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見(jiàn)Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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