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標(biāo)簽 > 柵極晶體管
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東芝推出新款4.5-kV雙柵極反向傳導(dǎo)注入增強(qiáng)型柵極晶體管
近日,東芝研發(fā)出新款4.5-kV雙柵極反向傳導(dǎo)注入增強(qiáng)型柵極晶體管(RC-IEGT)。經(jīng)測(cè)試證實(shí),相比于傳統(tǒng)單柵極結(jié)構(gòu),該產(chǎn)品在導(dǎo)通關(guān)斷時(shí)的總功耗(開(kāi)關(guān)...
利用虛擬工藝建模贏得全球半導(dǎo)體技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)
半導(dǎo)體工藝的開(kāi)發(fā)絕非易事,每一代器件研發(fā)的難度和成本在不斷提升。用傳統(tǒng)的先構(gòu)建再測(cè)試的方法來(lái)開(kāi)發(fā)最先進(jìn)的工藝過(guò)于耗時(shí)且成本過(guò)高,如今已經(jīng)不再適用。
2020-12-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體技術(shù)芯片設(shè)計(jì)虛擬制造 997 0
Intel將在2023年推出5nm GAA工藝,重回領(lǐng)導(dǎo)地位指日可待!
FinFET晶體管隨后也成為全球主要晶圓廠的選擇,一直用到現(xiàn)在的7nm及5nm工藝。
英特爾3d三柵極晶體管設(shè)計(jì)獲年度科技創(chuàng)新獎(jiǎng)
近日公布2011年“科技創(chuàng)新獎(jiǎng)”,英特爾的3-D三柵極晶體管設(shè)計(jì)獲得半導(dǎo)體類別創(chuàng)新大獎(jiǎng)。英特爾的3-D三柵極晶體管結(jié)構(gòu)代表著從2-D平面晶體管結(jié)構(gòu)的根本性轉(zhuǎn)變
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