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標(biāo)簽 > 硅技術(shù)
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超共源共柵與硅技術(shù)和SiC MOSFET技術(shù)對(duì)比分析
新應(yīng)用不斷涌現(xiàn),這就需要有高壓開(kāi)關(guān)技術(shù),而且與硅 IGBT 和 IGCT 技術(shù)相比,該技術(shù)的系統(tǒng)平衡成本和運(yùn)行損耗要顯著降低。該技術(shù)的應(yīng)用范圍非常廣,從...
2020-02-24 標(biāo)簽:sic器件硅技術(shù)SiC MOSFET 2520 0
絕緣襯底上的硅技術(shù) SOI發(fā)展與應(yīng)用分析
1947 年 AT&T 貝爾實(shí)驗(yàn)室的科學(xué)家 John Bardeen、Walter Brattain 以及 William Shockley 發(fā)明世界上...
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