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      標(biāo)簽　>　紅外發(fā)光

      紅外發(fā)光

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      紅外發(fā)光技術(shù)

      武漢大學(xué)實(shí)現(xiàn)基于FAPbI3的近紅外LED器件

      該研究團(tuán)隊(duì)在FAPbI3前驅(qū)液中引入了一系列鎘鹽，特別以醋酸鎘為代表的添加劑，能夠起到協(xié)同鈍化材料的缺陷并優(yōu)化器件能帶結(jié)構(gòu)等作用。

      2023-01-16 標(biāo)簽：led紅外發(fā)光紅外發(fā)光二極管 425 0

      基于FAPbI3的近紅外LED器件

      該研究團(tuán)隊(duì)在FAPbI3前驅(qū)液中引入了一系列鎘鹽，特別以醋酸鎘為代表的添加劑，能夠起到協(xié)同鈍化材料的缺陷并優(yōu)化器件能帶結(jié)構(gòu)等作用。

      2022-12-21 標(biāo)簽：led探測(cè)器發(fā)光二極管 627 0

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      紅外發(fā)光帖子

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      紅外發(fā)光資料下載

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      紅外發(fā)光資訊

      我國(guó)設(shè)計(jì)出一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單而發(fā)光性能優(yōu)異的近紅外發(fā)光材料

      記者從西安交通大學(xué)獲悉，該校理學(xué)院化學(xué)學(xué)科周桂江教授團(tuán)隊(duì)聯(lián)合校電信學(xué)院與材料科學(xué)與工程學(xué)院相關(guān)專(zhuān)家團(tuán)隊(duì)，設(shè)計(jì)合成出一類(lèi)分子結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單而發(fā)光性能優(yōu)異的近紅外...

      2019-03-05 標(biāo)簽：OLED紅外發(fā)光 1703 0

      紅外發(fā)光二極管的特性

      紅外發(fā)光二極管的特性 常用的紅外發(fā)光二極管（如SE303·PH303），其外形和發(fā)光二極管LED相似，發(fā)出紅外光（近紅外線約0.93μm ）。管壓降約...

      2010-02-06 標(biāo)簽：二極管紅外發(fā)光 2642 0

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      紅外發(fā)光數(shù)據(jù)手冊(cè)

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        京瓷株式會(huì)社成立于1959年4月1日。川村誠(chéng)為現(xiàn)任代表取締役社長(zhǎng)。資本金為1，157億332萬(wàn)日元。截至2006年3月31日為止的年度銷(xiāo)售額達(dá)到1，181，489百萬(wàn)日元，集團(tuán)公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計(jì)183家，員工61，468名。
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        　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見(jiàn)Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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