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標(biāo)簽 > 英諾賽科
英諾賽科成立于2015年12月,是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的高新技術(shù)企業(yè)。公司采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式,集芯片設(shè)計(jì)、外延生長(zhǎng)、芯片制造、測(cè)試與失效分析于一體,擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產(chǎn)能力。
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英諾賽科 2KW 48V 雙向ACDC儲(chǔ)能電源方案
2KW 48V雙向ACDC儲(chǔ)能模塊采用All GaN解決方案,包括前端AC-DC無(wú)橋圖騰柱PFC和后端DC-DC隔離全橋LLC轉(zhuǎn)換器,可實(shí)現(xiàn)單雙向工作。...
2024-10-12 標(biāo)簽:氮化鎵英諾賽科第三代半導(dǎo)體 383 0
氮化鎵GaN詳細(xì)對(duì)比分析 納微和英諾賽科氮化鎵GaN產(chǎn)品應(yīng)用
作者:馬坤 (郵箱:kuner0806@163.com) 隨著中國(guó)芯GaN產(chǎn)品上市,引起了大家的關(guān)注,PD產(chǎn)品更是多姿多彩;納微GaN產(chǎn)品和英諾賽科Ga...
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