10nm

曝高通10nm處理器將由三星代工生產(chǎn)

導(dǎo)語：聯(lián)發(fā)科和華為均已確定下一代處理器將采用10nm工藝制程，高通也緊追其后遞交10nm芯片樣品給客戶，據(jù)悉，高通10nm訂單均交給三星代工生產(chǎn)。

2016-07-28 標(biāo)簽：高通三星電子10nm 727 0

驍龍830或明年初面市 也采用10nm工藝

之前的消息稱，Helio X30將優(yōu)化調(diào)制解調(diào)器，縮小與競品之間的差距。而就目前芯片市場而言，能稱得上是聯(lián)發(fā)科競爭對(duì)手的廠商也只有美國高通公司了，其下一...

2016-07-28 標(biāo)簽：10nm驍龍830 610 0

10nm新工藝！高通、三星、聯(lián)發(fā)科搶占制高點(diǎn)

臺(tái)積電和三星都將在明年規(guī)模量產(chǎn)10nm新工藝，高通、蘋果、三星、聯(lián)發(fā)科的下一代處理器自然都會(huì)蜂擁而上，搶占制高點(diǎn)，據(jù)說第一個(gè)將是聯(lián)發(fā)科的新十核Helio...

2016-07-15 標(biāo)簽：高通聯(lián)發(fā)科10nm 1115 0

10nm工藝+6GB LPDDR4內(nèi)存！三星Galaxy Note 6實(shí)力爆表

日前在深圳召開的2016三星移動(dòng)解決方案論壇上，這家韓國OEM廠商宣布了最新的6GB LPDDR4內(nèi)存。和現(xiàn)有芯片和6GB內(nèi)存芯片最大的區(qū)別在于使用了最...

2016-05-23 標(biāo)簽：ARM三星電子臺(tái)積電 1207 0

10nm SRAM、10核心芯片亮相ISSCC

一年一度的“國際固態(tài)電路會(huì)議”(ISSCC)將在明年2月舉行，幾乎所有重要的晶片研發(fā)成果都將首度在此公開發(fā)布，讓業(yè)界得以一窺即將面世的最新技術(shù)及其發(fā)展趨勢。

2015-12-14 標(biāo)簽：sram10nmISSCC 1327 0

想奪蘋果芯片代工權(quán)，強(qiáng)大制程節(jié)點(diǎn)是關(guān)鍵

蘋果公司（Apple）可能在今年將其14/16nm產(chǎn)品訂單分配給多家代工廠，并策略性取得與三星（Samsung）與臺(tái)積電（TSMC）等代工供應(yīng)業(yè)者的議價(jià)能力。

2015-09-22 標(biāo)簽：10nm半導(dǎo)體芯片工藝制造 993 0

臺(tái)積電和Mentor Graphics合作：10nm工藝認(rèn)證！

俄勒岡州威爾遜維爾，2015 年 4 月 6 日—Mentor Graphics公司（納斯達(dá)克代碼：MENT ）今天宣布，TSMC和Mentor Gra...

2015-04-20 標(biāo)簽：TSMCMentor10nm 1747 0

搶攻移動(dòng)商機(jī)，格羅方德將于2015年推出10納米

格羅方德表示2015年推出10納米，此進(jìn)度比臺(tái)積電領(lǐng)先兩年，也比英特爾2016年投入研發(fā)還領(lǐng)先一年。

2013-04-28 標(biāo)簽：英特爾臺(tái)積電10nm 1020 1

半導(dǎo)體科技突破關(guān)鍵？替代材料助力10nm制程

半導(dǎo)體大廠已相繼投入研發(fā)更穩(wěn)定、高效率的替代材料。其中，鍺（Ge）和三五族（III-V）元素可有效改善電晶體通道的電子遷移率，提升芯片效能與省電效益，已...

2013-03-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體摩爾定律10nm 1260 0

英特爾或?qū)?0nm技術(shù)引入以色列工廠

據(jù)最新消息顯示，英特爾將于未來2至3年內(nèi)在愛爾蘭和美國的工廠引入14納米技術(shù)，并開始考慮發(fā)展10納米技術(shù)。英特爾以色列公司高管表示，希望將10納米技術(shù)引...

2013-02-19 標(biāo)簽：英特爾22nm10nm 844 0

毋須晶體管？FDSOI技術(shù)助力SoC細(xì)化至10nm！

若采用完全耗盡型SOI（FDSOI）技術(shù)，無需使晶體管立體化便可繼續(xù)推進(jìn)SoC微細(xì)化至10nm工藝左右。由于可以沿用原有半導(dǎo)體制造技術(shù)和設(shè)計(jì)技術(shù)，因此無...

2012-12-24 標(biāo)簽：SoC意法半導(dǎo)體晶體管 2659 0

英特爾移動(dòng)處理器規(guī)劃曝光：拭劍10nm制程

　　目前最新設(shè)計(jì)的移動(dòng)芯片都采用28/32納米工藝，已經(jīng)可以傳送很強(qiáng)大的功率和性能比率，但是另一種模具將在明年采用更加嚴(yán)格的收縮制作工藝。三星預(yù)備在新建...

2012-12-18 標(biāo)簽：高通英特爾三星電子 1054 0

更小更快更強(qiáng) 三星存儲(chǔ)芯片率先進(jìn)入10nm制程

根據(jù)三星的官方描述這個(gè)存儲(chǔ)芯片已經(jīng)從原有的20nm制程進(jìn)入到10nm，并且新的 64GB eMMC Pro Class 2000 比前代產(chǎn)品在外觀上小2...

2012-11-15 標(biāo)簽：三星電子存儲(chǔ)芯片10nm 1050 0

英特爾10nm設(shè)計(jì)規(guī)則初定，EUV技術(shù)恐錯(cuò)過良機(jī)

盡管英特爾在距今4年前便已開始計(jì)劃10nm節(jié)點(diǎn)，但該公司目前正在敲定相關(guān)的制程設(shè)計(jì)規(guī)則，而EUV則遲遲未能參與此一盛晏?！癊UV趕不及參與10nm節(jié)點(diǎn)設(shè)...

2011-03-08 標(biāo)簽：英特爾10nmEUV 1137 0