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      標(biāo)簽　>　7nm制程

      7nm制程

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      在整個(gè)芯片電路中，晶體管的柵極是最窄的線條。如果柵極寬度為7nm，則將其稱為7nm工藝制程。

      文章：26個(gè) 瀏覽：7894次 帖子：0個(gè)

      7nm制程資訊

      AMD未來(lái)產(chǎn)品路線：Zen 2/3推進(jìn) 7nm產(chǎn)品已在研發(fā)中

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      2017-02-06 標(biāo)簽：AMDZen處理器7nm制程 1158 0

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      2017-01-18 標(biāo)簽：臺(tái)積電EUV7nm制程 1026 0

      7nm后，這個(gè)技術(shù)將接替FinFET延續(xù)摩爾定律

      比利時(shí)微電子在2016國(guó)際電子元件會(huì)議中首度提出由硅納米線垂直堆疊的環(huán)繞式閘極金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體的CMOS集成電路，其關(guān)鍵技術(shù)在于雙功率金屬閘極...

      2016-12-12 標(biāo)簽：摩爾定律FinFET7nm制程 2610 0

      英特爾臺(tái)積電先進(jìn)制程對(duì)比 7nm將正面交鋒

      英特爾臺(tái)積電先進(jìn)制程對(duì)比 7nm將正面交鋒

      臺(tái)積電與半導(dǎo)體霸主英特爾爭(zhēng)奪蘋(píng)果處理器訂單，隨著美國(guó)制造議題升高愈趨臺(tái)面化，市調(diào)機(jī)構(gòu)和外資都推測(cè)，臺(tái)積電將在7納米與英特爾正式交鋒，時(shí)間可能落在2018...

      2016-12-05 標(biāo)簽：英特爾臺(tái)積電7nm制程 902 0

      7nm制程硝煙四起 臺(tái)積電/三星要超越英特爾？

      在一場(chǎng)將于12月舉行的技術(shù)研討會(huì)上，晶圓代工大廠臺(tái)積電（TSMC）將與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手Globalfoundries、三星（Samsung）結(jié)成的伙伴聯(lián)盟，公開(kāi)...

      2016-10-25 標(biāo)簽：芯片制造EUV7nm制程 1093 0

      7nm制程節(jié)點(diǎn)戰(zhàn)爭(zhēng)，煙硝四起

      在一場(chǎng)將于12月舉行的技術(shù)研討會(huì)上，晶圓代工大廠臺(tái)積電（TSMC）將與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手Globalfoundries、三星（Samsung）結(jié)成的夥伴聯(lián)盟，公開(kāi)...

      2016-10-25 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電7nm制程 649 0

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