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標(biāo)簽 > ADR291
ADR291 和ADR292 是使用XFET ?基準(zhǔn)電路的低噪聲、微功耗精密基準(zhǔn)電壓源。新的 XFET 架構(gòu)與傳統(tǒng)的帶隙和基于齊納二極管的掩埋基準(zhǔn)相比,提供了顯著的性能改進(jìn)。
ADR291低噪聲微功耗精密電壓基準(zhǔn) (2.5 V)
ADR291 和ADR292 是使用XFET ?基準(zhǔn)電路的低噪聲、微功耗精密基準(zhǔn)電壓源。新的 XFET 架構(gòu)與傳統(tǒng)的帶隙和基于齊納二極管的掩埋基準(zhǔn)相比,提供了顯著的性能改進(jìn)。改進(jìn)包括在相同電流下工作的帶隙基準(zhǔn)電壓噪聲輸出的四分之一、非常低的超線性溫度漂移、低熱滯后和出色的長期穩(wěn)定性。
ADR291/ADR292 系列是一系列電壓基準(zhǔn),可為 ADR291 從低至 2.8 V 的電源提供穩(wěn)定、準(zhǔn)確的輸出電壓。ADR291 和 ADR292 的輸出電壓選項分別為 2.5 V 和 4.096 V。
靜態(tài)電流僅為 12 μA,使這些器件成為電池供電儀器的理想選擇。提供三種電氣等級,ADR291 的初始輸出精度分別為 ±2 mV、±3 mV 和 ±6 mV,ADR292 的初始輸出精度為 ±3 mV、±4 mV 和 ±6 mV。三個等級的溫度系數(shù)最大分別為 8 ppm/°C、15 ppm/°C 和 25 ppm/°C。線路調(diào)節(jié)和負(fù)載調(diào)節(jié)通常為 30 ppm/V 和 30 ppm/mA,保持基準(zhǔn)的整體高性能。對于具有 5.0 V 輸出的器件,請參見 ADR293 數(shù)據(jù)手冊。
ADR291 和 ADR292 基準(zhǔn)電壓額定在 -40°C 至 +125°C 的擴(kuò)展工業(yè)溫度范圍內(nèi)。器件采用 8 引腳 SOIC、8 引腳 TSSOP 和 3 引腳 TO-92 封裝。
應(yīng)用
便攜式儀器
3 V 和 5 V 系統(tǒng)的精密基準(zhǔn)
模數(shù)和數(shù)模轉(zhuǎn)換器參考
太陽能應(yīng)用
回路電流供電儀器
為什么基準(zhǔn)電壓源遠(yuǎn)不如數(shù)據(jù)手冊上保證的精度? 很多情況下是因為使用不當(dāng)。 如果基準(zhǔn)電壓源使用不當(dāng),就會帶來麻煩。 有三種常見的使用不當(dāng)可能會導(dǎo)致這樣的問...
2015-08-26 標(biāo)簽:運算放大器基準(zhǔn)電壓ADR291 3058 1
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