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      標(biāo)簽　>　MAX17605

      MAX17605

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      MAX17601 - MAX17605設(shè)備高速M(fèi)OSFET驅(qū)動器的漏/源4A的峰值電流的能力。該設(shè)備具有不同的反相和同相部分選項(xiàng)提供更大的靈活性，控制 MOSFET。

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      MAX17605簡介

      　　MAX17601 - MAX17605設(shè)備高速M(fèi)OSFET驅(qū)動器的漏/源4A的峰值電流的能力。該設(shè)備具有不同的反相和同相部分選項(xiàng)提供更大的靈活性，控制 MOSFET。這些器件具有內(nèi)部邏輯電路，在輸出狀態(tài)的變化，以防止直通。邏輯輸入保護(hù)，防止電壓尖峰至+14 V的V DD電壓，無論。傳輸延遲時(shí)間最小化和雙通道之間的匹配。這些器件具有非?？斓拈_關(guān)時(shí)間，結(jié)合短傳播延遲（12ns典型值），使他們高頻電路的理想選擇。器件工作于+4 V至+14 V單電源供電和通常消耗的電源電流1mA的 。MAX17601/MAX17602具有標(biāo)準(zhǔn)TTL輸入邏輯電平，而MAX17603/MAX17604/MAX17605有CMOS類highnoise保證金（HNM）輸入邏輯電平。MAX17603是一個(gè)雙反相輸入驅(qū)動器，MAX17601/MAX17604是雙非反相輸入端的驅(qū)動器，MAX17602/MAX17605設(shè)備之一的同相和一個(gè)反相輸入。這些設(shè)備提供的使能引腳（ENA，ENB）可以更好地控制驅(qū)動程序的 操作，這些器件采用8引腳（采用3mm x 3mm）TDFN和8引腳SO封裝，工作在-40 ° C至+ 125 ° C溫度范圍。

      　　關(guān)鍵特性

      　　雙驅(qū)動器，帶有使能輸入

      　　+4 V至+14 V的單電源電壓范圍

      　　4A的峰值灌/拉電流

      　　無論V的額定至+14 V，輸入DD電壓

      　　低12ns的傳播延遲

      　　6ns典型的上升和5ns的典型下降時(shí)間1nF的負(fù)載

      　　通道間匹配的延誤

      　　雙輸出較大的驅(qū)動器輸出電流的并行操作

      　　TTL或HNM滯后輸入的邏輯電平的抗擾度

      　　低輸入電容：10pF的（典型值）

      　　熱關(guān)斷保護(hù)

      　　TDFN和SO封裝選項(xiàng)

      　　-40 ° C至+125 ° C工作溫度范圍

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      max17605帖子

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      max17605資訊

      MAX17601-MAX17605 Dual MOSFET Drivers

      MAX17601-MAX17605 Dual MOSFET Drivers

      MAX17601 - MAX17605設(shè)備高速M(fèi)OSFET驅(qū)動器的漏/源4A的峰值電流的能力。該設(shè)備具有不同的反相和同相部分選項(xiàng)提供更大的靈活性，控制M...

      2012-01-31 標(biāo)簽：MOSFETMAX17601MAX17605 873 0

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      max17605數(shù)據(jù)手冊

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