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標(biāo)簽 > MOS管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。
雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后,在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比(beta)。另一種晶體管,叫做場(chǎng)效應(yīng)管(FET),把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance, 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道,詳情參考右側(cè)圖片(N溝道耗盡型MOS管)。而P溝道常見(jiàn)的為低壓mos管。
場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流。事實(shí)上沒(méi)有電流流過(guò)這個(gè)絕緣體,所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來(lái)作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管,或,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。因?yàn)镸OS管更小更省電,所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管。
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。
雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后,在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比(beta)。另一種晶體管,叫做場(chǎng)效應(yīng)管(FET),把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance, 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道,詳情參考右側(cè)圖片(N溝道耗盡型MOS管)。而P溝道常見(jiàn)的為低壓mos管。
場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流。事實(shí)上沒(méi)有電流流過(guò)這個(gè)絕緣體,所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來(lái)作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管,或,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。因?yàn)镸OS管更小更省電,所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管。
MOS管在無(wú)線藍(lán)牙耳機(jī)中的應(yīng)用
作為一種高頻使用的消費(fèi)電子產(chǎn)品,無(wú)線藍(lán)牙耳機(jī)成為大家坐車、旅游、工作以及睡覺(jué)前聽歌的重要產(chǎn)品。一個(gè)好的藍(lán)牙耳機(jī)往往是輕巧、性能好、美觀、人性化以及穩(wěn)定可...
2024-11-08 標(biāo)簽:MOS管無(wú)線藍(lán)牙耳機(jī) 110 0
MOS管因其高輸入阻抗、低功耗和良好的線性特性,在現(xiàn)代電子電路中扮演著重要角色。然而,由于制造缺陷、環(huán)境因素或設(shè)計(jì)不當(dāng),MOS管電路可能會(huì)出現(xiàn)故障。 M...
1. 引言 MOS管作為電子電路中的核心組件,其性能直接影響整個(gè)系統(tǒng)的工作狀態(tài)。在高功率或高頻工作條件下,MOS管會(huì)產(chǎn)生大量熱量,若散熱不及時(shí),可能導(dǎo)致...
MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的導(dǎo)通電壓與漏電流之間的關(guān)系是MOS管工作特性的重要方面。以下是對(duì)這一關(guān)系的分析: 一、MOS管的導(dǎo)通電壓 MO...
在現(xiàn)代電子設(shè)備中,開關(guān)電源因其高效率、小體積和輕重量而成為電源管理的首選。MOS管作為開關(guān)電源中的核心組件,其性能直接影響電源的穩(wěn)定性和效率。 1. 開...
2024-11-05 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS管電子設(shè)備 134 0
MOS(金屬-氧化物-半導(dǎo)體)管的寄生參數(shù)是指在集成電路設(shè)計(jì)中,除MOS管基本電氣特性(如柵極電壓、漏極電壓、柵極電流等)外,由于制造工藝、封裝方式以及...
MOS管的閾值電壓(Threshold Voltage)是一個(gè)至關(guān)重要的參數(shù),它決定了MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài),對(duì)MOS...
合科泰MOS管HKTQ30P03的應(yīng)用場(chǎng)景
MOS管的高集成度、低功耗、高速度、制造工藝成熟、設(shè)計(jì)靈活性、可靠性和熱噪聲等特點(diǎn),成為很多電子產(chǎn)品的標(biāo)配。本期,合科泰給大家介紹一款應(yīng)用廣泛的MOS管...
2024-10-27 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器封裝MOS管 179 0
SIF2N60F場(chǎng)效應(yīng)管MOS管2A600V封裝TO-251/TO-252深愛(ài)半導(dǎo)體-深圳加權(quán)光電立即下載
類別:電子資料 2024-07-24 標(biāo)簽:MOS管深愛(ài)半導(dǎo)體SIF2N60
SIF24N50F深愛(ài)半導(dǎo)體MOS管場(chǎng)效應(yīng)管24A500V封裝TO-220F/TO-3P深圳加權(quán)光電立即下載
類別:電子資料 2024-07-23 標(biāo)簽:MOS管深愛(ài)半導(dǎo)體加權(quán)光電
類別:電子資料 2024-07-22 標(biāo)簽:MOS管深愛(ài)半導(dǎo)體
內(nèi)置MOS管 1A 大功率LED恒流驅(qū)動(dòng)器PT4115數(shù)據(jù)手冊(cè)立即下載
類別:IC中文資料 2024-04-16 標(biāo)簽:MOS管恒流驅(qū)動(dòng)器
飛虹半導(dǎo)體MOS管FHP740W的詳細(xì)參數(shù)
綠色、低碳在全國(guó)低碳循環(huán)發(fā)展經(jīng)濟(jì)已經(jīng)成為主旋律,如何生產(chǎn)具備高光效、高可靠性的植物照明LED驅(qū)動(dòng)電源相信是所有的電源廠家都希望解決的問(wèn)題。
2024-11-09 標(biāo)簽:ledMOS管驅(qū)動(dòng)電源 151 0
飛虹半導(dǎo)體MOS管在馬達(dá)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用
馬達(dá)驅(qū)動(dòng)對(duì)于MOS管的開關(guān)速度要求是很重要的,畢竟快速開關(guān)的MOS管有助于減少開關(guān)損耗,提高系統(tǒng)效率。
2024-11-09 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管馬達(dá)驅(qū)動(dòng) 159 0
飛虹半導(dǎo)體MOS管FHP13N50W產(chǎn)品概述
不管是電動(dòng)汽車還是移動(dòng)設(shè)備等等需要提供適應(yīng)不同設(shè)備需求的直流電源都是需要使用到電源轉(zhuǎn)換器的。而優(yōu)質(zhì)的電源轉(zhuǎn)換器是需要有高可靠性的MOS管來(lái)解決電路設(shè)計(jì)的問(wèn)題。
2024-11-09 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管電源轉(zhuǎn)換器 165 0
MOS管的封裝是指把硅片上的電路管腳,用導(dǎo)線接引到外部接頭處,以便與其它器件連接,并為MOS管芯片加上一個(gè)外殼,該封裝外殼主要起著支撐、保護(hù)和冷卻的作用...
逆變器是一種將直流電(DC)轉(zhuǎn)換為交流電(AC)的電力轉(zhuǎn)換設(shè)備,廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能發(fā)電、電動(dòng)汽車、不間斷電源(UPS)等領(lǐng)域。在這些應(yīng)用中,逆變器的核心是...
在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中,PWM調(diào)制因其高效和靈活的特性而被廣泛應(yīng)用。MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)因其高速開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻而成為PWM調(diào)制的理想...
2024-11-05 標(biāo)簽:MOS管PWM電子系統(tǒng) 188 0
MOS管的開關(guān)速度是其重要性能指標(biāo)之一,可以通過(guò)以下方法進(jìn)行測(cè)量: 一、使用示波器測(cè)量 連接電路 : 將MOS管接入測(cè)試電路,確保柵極、漏極和源極正確連...
2024-11-05 標(biāo)簽:MOS管電壓信號(hào)發(fā)生器 148 0
MOS管在LED驅(qū)動(dòng)電源中的應(yīng)用
隨著LED技術(shù)的快速發(fā)展,LED照明因其高亮度、低能耗和長(zhǎng)壽命等優(yōu)點(diǎn),逐漸成為照明市場(chǎng)的主流選擇。LED驅(qū)動(dòng)電源作為L(zhǎng)ED照明系統(tǒng)的核心部件,其性能直接...
2024-11-05 標(biāo)簽:MOS管LED驅(qū)動(dòng)電源柵極電壓 121 0
MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是電子電路中常用的一種功率放大器件,因其體積小、功耗低、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而,由于其...
2024-11-05 標(biāo)簽:MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管電子電路 154 0
在現(xiàn)代電子技術(shù)中,直流電機(jī)因其高效、可控和可靠的特性而被廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)和消費(fèi)產(chǎn)品中。MOS管因其高速開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻成為控制直流電機(jī)的理想選擇。...
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