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      標簽　>　RF-SOI

      RF-SOI

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      　RF SOI是絕緣體上硅（SOI）技術的RF版本，該工藝利用了內置隔離襯底的高電阻率特性。射頻SOI（RF-SOI）將延續(xù)其在4G應用的技術和市場優(yōu)勢，繼續(xù)成為5G Sub-6GHz頻段手機射頻開關的主流解決方案。

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      RF-SOI簡介

      　　RF SOI是絕緣體上硅（SOI）技術的RF版本，該工藝利用了內置隔離襯底的高電阻率特性。

      　　射頻SOI（RF-SOI）將延續(xù)其在4G應用的技術和市場優(yōu)勢，繼續(xù)成為5G Sub-6GHz頻段手機射頻開關的主流解決方案。

      　　RF-SOI在4G手機射頻開關應用中占有絕對的市場優(yōu)勢，RF SOI工藝可工作頻率很高，F(xiàn)t/Fmax滿足毫米波工作頻率3至5倍的要求；RF SOI可以實現(xiàn)器件堆疊（device stacking），從而同時提高了功率與能效比

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