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標(biāo)簽 > SiC-MOSFET
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眾所周知,對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說,高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到,高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到,可是這只是具備了獲得一個...
2023-07-10 標(biāo)簽:MOSFETSiC-MOSFET碳化硅芯片 1201 0
新能源汽車領(lǐng)域關(guān)于碳化硅的應(yīng)用
汽車原始設(shè)備制造商對電力電子系統(tǒng)的要求對此類系統(tǒng)的開發(fā)人員來說是一個巨大的挑戰(zhàn)。特別是空間要求、重量和效率的相互制衡,整個系統(tǒng)的成本和產(chǎn)品設(shè)計階段的工作...
剖析SiC-MOSFET特征及其與Si-MOSFET的區(qū)別 2
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容,總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識采用SiC-MOSFET的好處...
2023-02-06 標(biāo)簽:MOSFETSBDSiC-MOSFET 1007 0
剖析SiC-MOSFET特征及其與Si-MOSFET的區(qū)別 1
功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,為進一步實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化,一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體有如下優(yōu)勢,如低損耗、高速開關(guān)、高溫...
功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,為進一步實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化,一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體的優(yōu)勢前面已經(jīng)介紹過,如低損耗、高速...
2022-07-26 標(biāo)簽:IGBT晶體管SiC-MOSFET 2514 0
基于SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計案例(2)
關(guān)于輸入,如設(shè)計案例電路中所述,將AC輸入電壓整流后會變?yōu)镈C電壓,因此將根據(jù)DC輸入電壓值來設(shè)置常數(shù)。
2019-04-24 標(biāo)簽:諧振轉(zhuǎn)換器SiC-MOSFET 806 0
基于SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計案例(1)
當(dāng)輸入電壓上升時,如果過流限制是恒定的,則容許功率將直接增加。當(dāng)輸入電壓超過設(shè)置值時,這種校正功能可通過降低電流限制電平來降低損耗功率,從而使過負(fù)載時的...
2019-04-24 標(biāo)簽:諧振轉(zhuǎn)換器SiC-MOSFET 1086 0
瑞能半導(dǎo)體正在努力對SiC-MOSFET進行汽車級認(rèn)證
PCIM Europe即歐洲電力電子系統(tǒng)及元器件展,是全球最大的功率半導(dǎo)體展會。今年5月,瑞能半導(dǎo)體攜多款旗艦產(chǎn)品亮相展會,全方位展示行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù),以...
2022-08-04 標(biāo)簽:元器件SiC-MOSFET瑞能半導(dǎo)體 1410 0
值中國節(jié)能政策的轉(zhuǎn)換期,ROHM通過中國小型電機協(xié)會和相關(guān)電機企業(yè),為中國的節(jié)能與低碳社會提出電機高效率驅(qū)動技術(shù)解決方案,并持續(xù)為其普及做出貢獻。本文以...
2016-07-26 標(biāo)簽:電機ROHMSiC-MOSFET 1107 0
世界首家!ROHM開始量產(chǎn)采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET
世界首家!ROHM開始量產(chǎn)采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET,導(dǎo)通電阻大大降低,有助于工業(yè)設(shè)備等大功率設(shè)備的小型化與低功耗化
2015-06-25 標(biāo)簽:ROHMSiC-MOSFET 2056 0
世界首發(fā)!ROHM開發(fā)出SiC驅(qū)動用AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM開發(fā)出在大功率(高電壓×大電流)逆變器和伺服等工業(yè)設(shè)備中日益廣泛應(yīng)用的SiC-MOSFET驅(qū)動用AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC“B...
2015-04-10 標(biāo)簽:電源ICSiC-MOSFET 2759 0
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